晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 15A |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | 功率(Pd) | 83W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 35@2.0A,1.0V | 特征频率(fT) | 50MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@8.0A,0.4A |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
D45VH10G 是一款高性能的PNP型双极晶体管(BJT),由安森美半导体(ON Semiconductor)生产,封装采用TO-220-3形式。这款晶体管尤其适合需要高电流和高电压的功率应用,具有 15A 的最大集电极电流(Ic)以及 80V 的最大集射极击穿电压(Vce)。此外,该元器件在电流增益(hFE)方面表现出色,在4A的工作电流下,其最小值可达20,这使得它在高负载应用中能够提供良好的放大作用。
类型与极性:
电气特性:
功率及散热:
工作频率和温度:
D45VH10G 主要用于一些高功率和高电流的电路设计中,包括:
D45VH10G采用TO-220封装,具有良好的散热特性,适用于通孔安装(THT)。其设计不仅有助于散热,还方便在PCB板上的布局和连接,确保与其他元件良好的兼容性。这种封装方式广泛应用于各种工业和消费类电子产品中。
D45VH10G作为一款高性能PNP型晶体管,兼具高电压、大电流和出色的功率输出能力,适用于多种电子应用。凭借其稳定的电气特性及宽广的工作温度范围,D45VH10G可以满足现代电子设备日益增长的性能需求。无论是在音频放大器、电源管理还是电机驱动的应用中,D45VH10G都是一个值得信赖的选择。对于需要高效率和高功率处理的设计工程师来说,D45VH10G无疑是一个重要的元器件选择。