DMC2990UDJ-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMC2990UDJ-7

商品编码: BM0000287783
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT963
包装 : 
编带
重量 : 
0.01g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 350mW 20V 450mA;310mA 1个N沟道+1个P沟道 SOT-963-6
库存 :
1571(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.262
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.262
--
10000+
¥0.24
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMC2990UDJ-7参数

类型1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)450mA;310mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)990mΩ@100mA,4.5V
功率(Pd)350mW阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)500pC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)27.6pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

DMC2990UDJ-7手册

DMC2990UDJ-7概述

DMC2990UDJ-7 产品概述

产品概述

DMC2990UDJ-7 是一款高性能的双通道场效应管(MOSFET),集成了一个 N 型和一个 P 型 MOSFET,封装形式为 SOT-963。这款器件特别设计用于低压逻辑电平驱动应用,具备出色的特性和可靠性,适用于多种电子产品的电源管理和开关应用。

关键特性

  1. 电气参数:

    • 漏源电压 (Vdss): 最大 20V,适合低压电路,确保在相对较高的工作电压下仍然稳定运行。
    • 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下,N 型 MOSFET 可承受高达 450mA 的电流,而 P 型 MOSFET 则为 310mA,充足的电流驱动能力满足各种负载需求。
    • 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): N 型和 P 型 MOSFET 的阈值电压为 1V @ 250µA,确保能够在较低的电压下快速导通,增强了设备的开关效率。
    • 漏源导通电阻 (RDS(on)): 最大导通电阻仅为 990mΩ @ 100mA,4.5V,极大降低了导通损耗,提高了效率。
    • 输入电容 (Ciss): 在 15V 时最大输入电容为 27.6pF,确保快速响应,提高开关频率。
  2. 功率和温度特性:

    • 最大功耗: 该器件的最大功率耗散为 350mW(在 Ta=25°C 条件下),提供良好的热管理性能,确保在高负载情况下的安全运行。
    • 工作温度范围: DMC2990UDJ-7 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C(TJ),适合各种恶劣环境,确保在极端条件下仍能稳定工作。
  3. 封装和安装:

    • 封装类型: SOT-963 表面贴装封装,具有更小的占板面积,同时提高整体电路的集成度和可靠性。
    • 安装方式: 适合自动贴片组装,方便在大规模生产中使用,降低生产成本。

应用领域

DMC2990UDJ-7 的特性使其极为适用于多个领域的应用,包括:

  • 电源管理: 在DC-DC转换器、开关电源等电源模块中,用作开关元件。
  • 逻辑电平驱动: 可以作为微控制器或数字电路的驱动开关,提供高效的电流开关控制。
  • 电动机驱动: 在小型电机驱动和控制应用中,可以有效控制电机的启停和调速。
  • 智能家居和消费电子: 用于传感器、继电器和其他智能设备的电源管理。

总结

DMC2990UDJ-7 是一款功能强大、性能优良的双通道 MOSFET,具备广泛的电气特性和可靠的工作温度范围,适合现代电子设备中对小型化、高效能的需求。无论是在传统电子、可穿戴设备,还是在智能家居应用中,DMC2990UDJ-7 都能满足您对高效、经济和可靠元器件的需求。选择 DMC2990UDJ-7,助力您的产品实现更高的应用价值和市场竞争力。