类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 450mA;310mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 990mΩ@100mA,4.5V |
功率(Pd) | 350mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 500pC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 27.6pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
产品概述
DMC2990UDJ-7 是一款高性能的双通道场效应管(MOSFET),集成了一个 N 型和一个 P 型 MOSFET,封装形式为 SOT-963。这款器件特别设计用于低压逻辑电平驱动应用,具备出色的特性和可靠性,适用于多种电子产品的电源管理和开关应用。
关键特性
电气参数:
功率和温度特性:
封装和安装:
应用领域
DMC2990UDJ-7 的特性使其极为适用于多个领域的应用,包括:
总结
DMC2990UDJ-7 是一款功能强大、性能优良的双通道 MOSFET,具备广泛的电气特性和可靠的工作温度范围,适合现代电子设备中对小型化、高效能的需求。无论是在传统电子、可穿戴设备,还是在智能家居应用中,DMC2990UDJ-7 都能满足您对高效、经济和可靠元器件的需求。选择 DMC2990UDJ-7,助力您的产品实现更高的应用价值和市场竞争力。