DMG2302U-7
DMG2302U-7参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 120mΩ@2.5V,3.1A |
| 功率(Pd) | 800mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@50uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 7nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 594.3pF@10V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 57.7pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMG2302U-7手册
DMG2302U-7概述
DMG2302U-7 产品概述
概述
DMG2302U-7 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，设计用于需要中低功率开关的应用领域。该器件以其良好的电气特性和宽广的工作温度范围，成为电子电路设计工程师的优选解决方案。MOSFET 采用 SOT-23 封装，便于表面贴装，适合现代电子设备的紧凑型设计需求。
主要规格
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 持续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：1V @ 50µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：90mΩ @ 3.6A, 4.5V
- 最大功率耗散：800mW（Ta=25°C）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
电气性能
DMG2302U-7 在漏源电压达到 20V 时，能够承受高达 4.2A 的连续漏极电流，表明其在负载较高的电路中具备良好的可用性。这款 MOSFET 的栅源阈值电压为 1V，适合与较低电压的逻辑电平兼容，这使得此器件可以在低功耗设备中实现高效率的开关操作。
此外，导通电阻 (Rds(on)) 低至 90mΩ，这意味着在正常工作情况下 MOSFET 的热量产生相对较少，从而提高整体系统的能效并减少散热需求。最大功率耗散的能力达到 800mW，也为高温环境下的应用提供了灵活性。
驱动和开关特性
DMG2302U-7 还具备良好的开关性能，栅极电荷 (Qg) 高达 7nC（@ 4.5V），这是影响开关速度和驱动能力的重要参数。低 Qg 值意味着驱动电路在更高频率下能够实现快速切换，从而有效提高电路的整体性能。同时，该器件允许的最大栅源电压 (Vgs) 高达±8V，增加了设计的灵活性。
应用场景
由于其优秀的电气特性，DMG2302U-7 被广泛应用于以下几种场景：
开关电源：在 DC-DC 转换器等高频开关电源中，DMG2302U-7 能够有效降低功率损耗，提升转换效率。
功率管理：该器件适合用于移动设备和便携式设备的电源管理模块，能够在节能和高效操作之间找到良好的平衡。
电机驱动：在电机控制和驱动电路中，快速开关与高效导通性能使得 DMG2302U-7 成为理想选择，有助于提升电动机的运行效率。
负载开关：在LED 驱动、继电器驱动等负载开关应用中，凭借其低导通电阻和高效热管理，DMG2302U-7 提供了可靠的性能。
结论
综上所述，DMG2302U-7 是一款高效、灵活且在多个应用领域都表现出色的 N 沟道 MOSFET。其卓越的电气特性，结合紧凑的 SOT-23 封装，确保了其在现代电子设备设计中的广泛适应性。无论在电源管理、开关电源，还是在负载开关等应用领域，这款器件都能够提供可靠的性能表现，满足设计师对高效能和高可靠性电子元件的需求。