DMG3401LSN-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMG3401LSN-7

商品编码: BM0000287788
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SC59
包装 : 
编带
重量 : 
0.028g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 800mW 30V 3A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
3154(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.407
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.407
--
3000+
¥0.38
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMG3401LSN-7参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.7A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)85mΩ@2.5V,2.5A
功率(Pd)800mW阈值电压(Vgs(th)@Id)1.3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)25.1nC输入电容(Ciss@Vds)1.326nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)71pF@15V工作温度-55℃~+150℃

DMG3401LSN-7手册

DMG3401LSN-7概述

产品概述:DMG3401LSN-7

简介

DMG3401LSN-7是一款高性能的P沟道MOSFET,专为低功耗应用设计,具有优秀的导通特性和高效的电源管理能力。它的主要参数包括263V的漏源电压(Vds),3A的连续漏极电流(Id),以及低达50mΩ的漏源导通电阻(Rds(on)),使其最终应用范围涵盖电源开关、信号切换及其它线性应用。

基本参数

  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 3A(在25°C环境条件下)
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 1.3V @ 250µA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 50mΩ @ 4A, 10V
  • 最大功率耗散: 800mW(在25°C环境下)
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C(接合温度TJ)
  • 封装类型: SC-59(表面贴装型)

设计优点

DMG3401LSN-7采用先进的MOSFET工艺技术,通过优化的结构设计,提供卓越的电气性能。它具有以下几个显著优点:

  1. 低导通电阻: 在提高能效和降低热量生成方面,50mΩ的导通电阻显著降低了功耗,尤其适用于需要高效开关控制的电源管理电路。

  2. 高承载能力: 最大的泄漏电流为3A,配合30V的高耐压特性,可以承受多个应用场景的需求,适合用于电池供电、直流到直流转换器及其他类似设备。

  3. 广泛的工作温度范围: -55°C到150°C的工作温度使得该MOSFET适合在恶劣环境下工作,如汽车电子、工业控制和航空航天应用,能够满足或超过行业标准。

  4. 小巧封装: SC-59封装使得器件更加适合紧凑型电路设计,且表面贴装技术提供了高密度的电路布局方案,适用于空间有限的应用。

  5. 低驱动电压: 该器件允许在低至2.5V的驱动电压下工作,适配多种控制信号,方便在低功耗电路中实现高效控制。

应用场景

DMG3401LSN-7的卓越性能使其广泛应用于:

  • 电源管理: 在DC-DC转换器、电池管理系统及高效电源开关中提供优异的性能。
  • 负载开关: 适用于控制电源通断,能够有效切换负载,保障电路安全。
  • 信号切换: 可用于各种数据信号切换应用,适应高频率和快速切换要求的场合。
  • 电动机控制: 应用于电动机驱动电路,实现高效控制与能量转换。
  • 家电产品: 在智能家居设备中,如LED驱动和温控器,实现高效电源管理。

总结

DMG3401LSN-7是一款功能强大且高效的P沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、高温适应性和小巧封装,专为各种电子设备提供可靠的性能支持。其广泛的应用范围和优越的电气性能,确保能够在未来的电子产品中发挥关键作用。无论是在消费电子、工业控制还是高要求的汽车和航空航天应用中,DMG3401LSN-7都能成为设计师和工程师理想的选择。