晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 200mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 150V | 功率(Pd) | 300mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 60@10mA,5V | 特征频率(fT) | 300MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@10mA,1mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMMT5401-7-F 是一种高性能的PNP型双极晶体管(BJT),主要用于功率放大和开关应用。其广泛的工作温度范围、优秀的频率响应和高击穿电压使其非常适合于现代电子设备中对性能和稳定性有高要求的应用。
DMMT5401-7-F 的关键参数如下:
DMMT5401-7-F采用SOT-26封装,这使得它在电路板上的占地面积小,适合高密度的电子设计。表面贴装技术(SMT)不仅减少了安装时间和生产成本,还提高了产品的可靠性。
DMMT5401-7-F 被广泛应用于各种电子设备中,例如:
DMMT5401-7-F 提供了一系列性能优势,包括:
在设计使用DMMT5401-7-F的电路时,建议关注以下几点:
总之,DMMT5401-7-F是一款功能强大而可靠的PNP型晶体管,凭借其优异的参数和广泛的应用设计选项,适合多种电子设计需求,无论是在消费电子、工业设备还是嵌入式系统中都有着广泛的应用前景。设计师们在选择合适的电子元器件时,DMMT5401-7-F无疑是一个值得考虑的优质选择。