类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 300mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3Ω@4.5V,0.2A |
功率(Pd) | 200mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@1mA |
输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@25V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF@25V |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
DMN601WK-7 产品概述
DMN601WK-7 是一种高性能 N 通道金属氧化物场效应管 (MOSFET),广泛应用于各种电子电路,以满足高效能和集成的需求。该器件由 DIODES(美台)公司生产,设计用于提供可靠的开关和放大功能,尤其适合于低功率和中等功率应用。其主要特点和优势如下:
漏源电压 (Vdss): DMN601WK-7 的漏源电压高达 60V,能够在较高电压条件下稳定工作,适用于多种电力管理应用。
连续漏极电流 (Id): 器件在 25°C 下的连续漏极电流为 300mA,这使得它能够在多种电流负载下可靠运作,适合用于开关电源、LED 驱动等场合。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该器件具有非常低的栅源极阈值电压,最大值为 2.5V。在 1mA 的条件下,低阈值电压使得器件能够在较低的驱动电压下快速导通,提高了设计灵活性和效率。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 500mA 和 10V 的条件下,导通电阻最大为 2Ω。这一数值确保在常规操作中保持较低的功率损耗,并且提高整体电路效率。
最大功率耗散: DMN601WK-7 的最大功率耗散为 200mW(在 25°C 时),意味着该 MOSFET 能够在适度的功率环境下稳定运行,适合用于小型化设计。其宽广的工作温度范围 (-65°C ~ 150°C)使得该器件可以在极端环境下正常工作,进一步提升应用场景的多样性。
DMN601WK-7 采用 SOT-323 封装,尺寸小巧,适合表面贴装 (SMD) 应用。这一特点使得其易于集成,适应高密度的电路板设计,同时也提供了良好的散热性能。
由于该器件具备的高耐压、低导通电阻及合理的功耗特性,DMN601WK-7 可以用于多种应用,包括但不限于:
总之,DMN601WK-7 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET,凭借其优秀的电气性能、宽广的应用范围及小型化封装,成为了设计师和工程师在电子产品开发中的优秀选择。无论是高效的开关控制,还是在极端工作条件下的稳定性,DMN601WK-7 都能提供高水平的效能。通过正确的应用,该器件将为电子电路设计带来显著的价值和便利。