类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 19.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V,9A |
功率(Pd) | 1.4W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 16.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.931nF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
产品简介
DMP3036SSS-13 是一款高性能的 P沟道 MOSFET,有效的满足了广泛电子应用中的高效能要求。其主要规格包括漏源电压(Vdss)为 30V,连续漏极电流(Id)为 19.5A,最大功率耗散为 1.4W,工作温度范围从 -55°C 到 150°C。这款 MOSFET 采用了流行的 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)封装,特别便于表面贴装(SMT)设计。
关键参数
漏源电压(Vdss): DMP3036SSS-13 的漏源电压额定值为 30V,这使其能够在大多数中至低电压的电源管理应用中灵活使用。这个电压范围可以涵盖一般的逻辑电平应用,确保器件的稳定性和可靠性。
连续漏极电流(Id): 在 25°C 的环境温度下,该器件的连续漏极电流可达到 19.5A,保证了在负载条件下的良好工作性能。这个电流能力使其能够适应多种功率需求的应用场景,可广泛用于电动机驱动、开关电源等。
栅源极阈值电压(Vgs(th)): DMP3036SSS-13 的栅源阈值电压为 3V @ 250µA,确保低电压条件下的启动灵敏度。此外,其栅极电荷(Qg)在 10V 时最大值为 16.5nC,有助于提高开关速度,适合高速开关应用。
导通电阻(Rds(on)): 它的漏源导通电阻为 20mΩ @ 9A, 10V,这一特性显著降低了导通损耗,有助于提升整体能效表现,降低系统发热。
功率耗散: DMP3036SSS-13 的最大功率耗散为 1.4W(Ta=25°C),意味着在正常运行温度下,器件可以安全而高效地处理所需的功率。
工作环境与应用
DMP3036SSS-13 具备宽广的工作温度范围,从 -55°C 到 150°C,使其适用于严苛的工业和汽车应用。这种耐高温性确保了其在高热环境下的可靠运行。
该器件可广泛应用于以下领域:
总结
DMP3036SSS-13 是一款高效、可靠的 P沟道 MOSFET,适用于多种电子应用。它的低导通电阻、高电流承载能力、适中的阈值电压以及宽广的工作温度范围,使其成为电源管理和驱动电路设计的理想选择。选择 DMP3036SSS-13,用户可以在提高能效的同时,确保系统的稳定性和可靠性,满足各类工业和商业应用的需求。
总的来说,这款器件是集成电路设计师和电子工程师在开发新产品时,不容错过的优质选择。