集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 150mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 30@5mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 3V@10mA,0.3V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA |
输入电阻 | 10kΩ | 电阻比率 | 1 |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DTA114EETL 产品概述
DTA114EETL是一款由罗姆(ROHM)公司生产的数字晶体管,以其卓越的性能和广泛的应用潜力而备受青睐。该产品采用SC-75/SOT-416封装,具有出色的热管理性能和紧凑的体积,适用于各种电子设备的表面贴装需求。其额定功率为150mW,集电极电流Ic最大可达100mA,集射极击穿电压Vce高达50V,使其在多种工作环境下都能稳定运行。
额定功率与电流特性 DTA114EETL的额定功率为150mW,集电极电流最大值为100mA,为多种低功耗应用提供了良好的支持。由于其低功耗特性,它非常适合在需要高效能与低热生成的场合使用,如便携式设备和电池供电的应用。
电压参数 此款PNP类型数字晶体管的集射极击穿电压(Vce)最高可达50V,表明其具有较好的电压耐受能力,能够适应较高电压的电路设计。这使得DTA114EETL非常适合用于电源开关、信号放大及其他需要高电压操作的场合。
增益与饱和压降 DTA114EETL在不同的Ib、Ic条件下展现出最小DC电流增益(hFE)为30(在5mA,5V下),使其在低电流驱动情况下依然能够保持良好的放大能力。其在最大电流500µA到10mA之间的饱和压降(Vce)为300mV,这进一步增强了它在开关电路中的有效性,确保了快速切换和较低的功耗。
频率特性 该元器件的跃迁频率达到250MHz,表明其在高频信号处理中的适用性,适合用于开关电源、射频放大器以及各种数字电路中,这使得其在现代电子设计中得到了广泛应用。
低截止电流 DTA114EETL的集电极截止电流(最大值)为500nA,确保在关闭状态下极低的漏电流,这对电池供电设备特别重要,因为它能够显著延长设备的使用寿命。
DTA114EETL广泛应用于便携式电子设备、信号调节电路、开关电源、音频放大器、数字电路驱动等领域。由于其较高的工作电压和电流能力,以及卓越的频率响应,设计师能够在多个产品中部署此项技术,包括但不限于:
DTA114EETL作为一款高性能数字晶体管,以其高额定功率、高电流和电压输出能力,广泛的应用场景以及优良的频率响应性能,在众多电子应用中都展现出了无可比拟的优势。无论是在便携式设备的设计,还是在高性能电子系统的构建中,DTA114EETL都能为设计师提供可靠性和灵活性,是现代电子产品设计中不可或缺的优秀选择。