额定功率 | 1W | 集电极电流Ic | 600mA |
集射极击穿电压Vce | 160V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 600mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 160V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V | 功率 - 最大值 | 1W |
频率 - 跃迁 | 300MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
DZT5551-13是一款高性能的NPN三极管,专为电源管理和开关应用而设计,具有高集电极电流(Ic)和高集射极击穿电压(Vce),非常适合各种电子电路中作为信号放大器或开关元件使用。该元件由DIODES(美台)制造,采用表面贴装型的SOT-223封装,便于在现代电子设备中进行高密度布局。
DZT5551-13的设计突出了几项核心性能,适合高电压和高电流的商业和工业应用。这款NPN三极管的集射极击穿电压高达160V,意味着它能够在较宽的电压范围内稳定工作,适用于如电源供应及驱动电路等需要高耐压的场合。
DZT5551-13广泛应用于电子设备的各类场景,包括但不限于:
DZT5551-13使用SOT-223封装,适合于表面贴装技术(SMT)的生产工艺,能够在密集的电路板中节省空间,并兼容现代自动化贴片生产线。其良好的热管理特性确保在极端的工作温度下也能保持稳定的性能表现,适应各种严苛的环境条件。
综上所述,DZT5551-13是一款设计精良的高性能NPN三极管,具备优良的电气特性和可靠性,能够满足多种高需求电子应用的要求。无论是在电源管理还是信号放大领域,其优越的性能都使其成为理想的选择。通过集成此元件,设计师能够开发出更加高效、可靠的电子设备,推动技术的不断进步与创新。