
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
DZT5551-13

- 商品编码: BM0000287837复制
- 品牌: DIODES(美台)复制
- 封装: SOT-223复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.000232复制
- 描述: 三极管(BJT) 1W 160V 600mA NPN复制
DZT5551-13参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 600mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 160V |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 直流电流增益(hFE) | 80 |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 特征频率(fT) | 300MHz |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 150mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 数量 | 1个NPN |
DZT5551-13手册
DZT5551-13概述
DZT5551-13 产品概述
1. 简介
DZT5551-13是一款高性能的NPN三极管,专为电源管理和开关应用而设计,具有高集电极电流(Ic)和高集射极击穿电压(Vce),非常适合各种电子电路中作为信号放大器或开关元件使用。该元件由DIODES(美台)制造,采用表面贴装型的SOT-223封装,便于在现代电子设备中进行高密度布局。
2. 关键规格
- 额定功率: 1W
- 集电极电流: 最大600mA
- 集射极击穿电压: 最大160V
- 工作温度范围: -55°C至150°C
- 频率: 最高跃迁频率为300MHz
- 封装形式: SOT-223
3. 性能特点
DZT5551-13的设计突出了几项核心性能,适合高电压和高电流的商业和工业应用。这款NPN三极管的集射极击穿电压高达160V,意味着它能够在较宽的电压范围内稳定工作,适用于如电源供应及驱动电路等需要高耐压的场合。
- 电流增益(hFE): 在10mA的集电极电流(Ic)和5V的条件下,DZT5551-13的最低直流电流增益达到80,保证了在信号放大期间的高效性和稳定性。
- 饱和压降: 在5mA和50mA的条件下,Vce饱和压降的最大值为200mV,表明该晶体管在开关应用中能够有效降低导通损耗,提高系统效能。
- 集电极截止电流(ICBO): 最大值为50nA,提供更高的开关效率和更小的漏电流,对于敏感应用而言,能够保证电路的稳定性和可靠性。
4. 应用领域
DZT5551-13广泛应用于电子设备的各类场景,包括但不限于:
- 开关电源: 作为开关元件,可用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等。
- 信号处理中: 作为信号放大器,提高微弱信号的强度,适用于音频处理或传感器应用。
- 电机驱动: 用于电机驱动电路,控制各种类型的电动机,以实现高效的电力使用。
- 放大器电路: 能够在小信号下提供增益,适用于各种音频和射频应用中。
5. 安装与兼容性
DZT5551-13使用SOT-223封装,适合于表面贴装技术(SMT)的生产工艺,能够在密集的电路板中节省空间,并兼容现代自动化贴片生产线。其良好的热管理特性确保在极端的工作温度下也能保持稳定的性能表现,适应各种严苛的环境条件。
6. 结论
综上所述,DZT5551-13是一款设计精良的高性能NPN三极管,具备优良的电气特性和可靠性,能够满足多种高需求电子应用的要求。无论是在电源管理还是信号放大领域,其优越的性能都使其成为理想的选择。通过集成此元件,设计师能够开发出更加高效、可靠的电子设备,推动技术的不断进步与创新。
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