| 晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 500mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 300V | 耗散功率(Pd) | 1W |
| 直流电流增益(hFE) | 25@30mA,10V | 特征频率(fT) | 50MHz |
| 集电极截止电流(Icbo) | 250nA | 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
DZTA92-13 是一款高性能的 PNP 型双极性晶体管(BJT),具备用于多种应用的优越特性。该器件由 DIODES(美台)公司制造,适合于表面贴装应用,封装规格为 SOT-223(也可为 TO-261-4/TO-261AA)。其主要电气参数包括:最大集电极电流(Ic)为 500mA,最大集射极击穿电压(Vceo)为 300V,饱和压降(Vce(sat))在 2mA 和 20mA 的条件下最大为 500mV,功率最大值为 1W。
DZTA92-13 的关键参数如下:
DZTA92-13 由于其良好的电气特性和工作温度范围,适用于多种工业与消费类电子产品。具体应用领域包括但不限于:
选择 DZTA92-13 的主要设计优势包括:
DZTA92-13 是一款技术指标优秀的 PNP 三极管,凭借其优良的电性能,宽广的工作温度范围及紧凑的封装设计,成为各种电子应用中不可或缺的重要器件。无论是在工业设备、消费电子还是新兴技术设备中,该晶体管均可提供稳定的性能和可靠的支持,为设计工程师提供极大的灵活性与保障。其高频特性和低能耗,使其在需要高效能耗管理的应用场景中表现卓越。不论是用于开发新产品还是升级现有设备,DZTA92-13 都能满足现代电子设备对效能、稳定性及空间利用率的苛刻要求。