类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 700mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 400mΩ@4.5V,750mA |
功率(Pd) | 300mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.1nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 66.5pF@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FDG6317NZ是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的高性能N沟道MOSFET,专为需要高电流和逻辑电平控制的应用而设计。其具有双通道结构,使其在各种电子电路中应用灵活,能够有效驱动负载。此器件的主要参数包括漏源电压(Vdss)20V,连续漏极电流(Id)高达700mA,工作温度范围为-55°C至150°C,适合在极端条件下使用。
FDG6317NZ在多个电气参数上表现优异。例如,在4.5V的栅源电压下,最大导通电阻仅为400毫欧,这意味着该器件在开关状态下能够有效降低功耗,提高系统效率。此外,Vgs(th)(阈值电压)最大值为1.5V,说明其能够在较低的驱动电压下正常工作,进一步增强了其在低电压应用中的适用性。
该MOSFET的栅极电荷(Qg)最大值为1.1nC,使其在高速开关时具有较小的开关损耗。在实际应用中,这对于降低功耗有着重要意义,尤其是在便携式设备和高频开关电源设计中。此外,其最大功率耗散为300mW,确保了在高负载条件下的稳定运行,从而为设计师提供了一种可靠的解决方案。
FDG6317NZ采用标准的SC-88(SC-70-6)封装,属于表面贴装型(SMD),使其在PCB布局中占用更少的空间。这种小型化设计使其非常适合用于空间有限的产品,比如移动设备、消费电子以及其他紧凑型电子设备。此外,表面贴装型封装简化了制造过程,并增强了与其他组件的集成度。
FDG6317NZ的设计使其非常适合用于多个应用场景,包括但不限于:
FDG6317NZ是一款具备优良性能的小型N沟道MOSFET,适合各种应用场合,特别是在需要高效能和低功耗的电子设备中。其出色的电气特性、极小的封装和宽广的工作温度范围,使其成为设计师在选择开关元件时的理想选择。无论是在通讯、消费电子、工业控制还是专业设备领域,FDG6317NZ都能有效满足设计需求,提供稳定可靠的性能。选择FDG6317NZ,将为您的设计带来一流的解决方案,推动产品的市场竞争力。