FZT658TA 产品实物图片
FZT658TA 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

FZT658TA

商品编码: BM0000287864
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
0.215g
描述 : 
三极管(BJT) 2W 400V 500mA NPN SOT-223
库存 :
617(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
产品参数
产品手册
产品概述

FZT658TA参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)400V功率(Pd)1.6W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)50@100mA,5V特征频率(fT)50MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)250mV@50mA,5mA
工作温度-55℃~+150℃

FZT658TA手册

FZT658TA概述

FZT658TA 产品概述

FZT658TA 是一种高性能的 NPN 型三极管,广泛应用于各种电子电路中,如开关电源、信号放大、功率控制和线性调节等。这款器件由 DIODES 公司生产,具有出色的电气特性和可靠性,适合在多种环境条件下工作。

主要规格

额定功率:FZT658TA 的额定功率为 2W,使其能有效处理中等功率的应用,这一特性使其非常适合在要求相对较高功率处理的系统中使用。

集电极电流 (Ic):FZT658TA 的最大集电极电流为 500mA,能够满足大多数中小功率负载驱动的需求。特别是在移动设备、家用电器和工业控制中,500mA 的输出能力为设计提供了灵活性。

集射极击穿电压 (Vce):FZT658TA 的集射极击穿电压高达 400V,确保在高电压操作情况下的可靠性。这使其适用于直流电机驱动、电源转换和高电压开关应用。

电流增益 (hFE):在 200mA 和 10V 的操作条件下,FZT658TA 的最小直流电流增益 (hFE) 为 40,表明其具有良好的增益特性,这对放大和驱动应用至关重要。高增益的特性能够减少驱动信号的强度,提高电路的整体效率。

饱和压降:在不同电流 (Ib 和 Ic) 情况下,FZT658TA 的 Vce 饱和压降最大为 500mV(在 10mA 和 100mA 条件下),这一特性在开关操作中显得尤为重要,可以有效降低功耗,提升工作效率。

温度范围:FZT658TA 的工作温度范围为 -55°C ~ 150°C,使其非常适合于恶劣环境下的应用。这种宽广的温度适应性使得该三极管能够在汽车电子、工业设备和航空等严苛环境中正常运行。

封装与安装型

FZT658TA 采用 SOT-223 表面贴装封装,符合现代电子设备对尺寸和集成化的需求。此种封装非常适合自动化生产流程,使其能够轻松集成到各种印刷电路板 (PCB) 中。SOT-223 封装还具有良好的散热特性,有助于在高功率运行下维护晶体管的可靠性。

应用场景

FZT658TA 被广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域,其适用的具体示例包括:

  1. 开关电源:因其高压耐受和电流处理能力,FZT658TA 可以作为开关电源中的关键驱动元件。

  2. 信号放大:在音频处理和射频应用中,FZT658TA 的增益特性可用于信号放大器中。

  3. 电机驱动:其高的 Ic 值和 Vce 耐受性使其适合用于直流电机的控制和驱动电路。

  4. 高频应用:频率跃迁达 50MHz 的特性,使得 FZT658TA 可用于高频开关和信号调制应用。

综上所述,FZT658TA 是一款性能优异,可靠性高的 NPN 三极管,适合各类中等功率及高压应用。其丰富的规格和广泛的应用场景,使其成为电子设计工程师在选择材料时的热门选择,在现代电子设备中具有不可或缺的地位。通过灵活应用该器件,设计工程师可以充分利用其电气特性,满足不断变化的市场需求。