晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 4A |
集射极击穿电压(Vceo) | 140V | 功率(Pd) | 24W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 75@3A,5V | 特征频率(fT) | 110MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@1A,100mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FZT955TA 是一款高性能的PNP型晶体管,具有多个出色的参数,广泛应用于各种电子电路中。其额定功率为3W,集电极电流(Ic)最大值为4A,集射极击穿电压(Vce)高达140V,适用于高电压和高电流的环境。FZT955TA 采用表面贴装型(SMD)封装,封装类型为 SOT-223,便于集成到现代小型电路板中,适合各种消费电子和工业控制领域。
额定功率和电流: FZT955TA 的额定功率为3W,能够支持高达4A的集电极电流。这使得它能够在较高的负载情况下正常工作,降低了数控电源和开关电路的设计难度。
集射极击穿电压(Vce): 该晶体管的Vce最大值为140V,这提供了良好的耐压性能。在现代高压应用中,能够有效保证电路的稳定性与安全性,避免元器件的意外击穿。
饱和压降: FZT955TA在不同的Ic和Vce条件下,达到370mV的饱和压降(在300mA的Ib和3A的Ic时),这使得该器件的功率损耗相对较低,提高了电路的工作效率。
集电极截止电流(ICBO): 最大集电极截止电流为50nA,意味着在关断状态下消耗的电流极小,有助于节能与提高系统的整体性能。
直流电流增益(hFE): 在1A的Ic和5V的Vce下,其直流电流增益的最小值为100,表明它在相对高电流情况下仍能够保持良好的放大特性,使其在放大应用中表现出色。
频率特性: FZT955TA 具备较高的跃迁频率,达到110MHz,适合高频应用的需求,能够满足大多数快速开关电路和脉冲应用的要求。
FZT955TA 的工作温度范围为-55°C到150°C,这使得它在极端温度条件下能够正常运作,适合于严苛环境中使用,广泛应用于汽车电子、工业设备及航空航天等领域。同时,该器件满足现代电子产品对高集成度和小体积的要求,表面贴装设计(SOT-223)使其能方便快速地集成到电路板上。
FZT955TA 可以应用于多个领域,包括但不限于:
FZT955TA 作为一款性能优良的PNP晶体管,凭借其高效的电气特性、广泛适应的工作环境和多样的应用场景,成为设计工程师和电子产品制造商的理想选择。无论您是在设计新的电子产品,还是在更新现有设备,FZT955TA 都能为您提供可靠的解决方案。通过采用 DIODES(美台)品牌的元器件,可以确保产品的质量和稳定性,从而提升整体电子产品的性能。