IRF530NSTRLPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF530NSTRLPBF

商品编码: BM0000287924
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
D2PAK
包装 : 
编带
重量 : 
2.054g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.8W;70W 100V 17A 1个N沟道 TO-263-2
库存 :
15785(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.84
按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.84
--
800+
¥1.7
--
16000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF530NSTRLPBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)17A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)90mΩ@10V,9.0A
功率(Pd)3.8W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)37nC@10V输入电容(Ciss@Vds)920pF
反向传输电容(Crss@Vds)19pF工作温度-55℃~+175℃

IRF530NSTRLPBF手册

IRF530NSTRLPBF概述

IRF530NSTRLPBF 产品概述

产品简介

IRF530NSTRLPBF 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,具有额定漏源电压(Vdss)100V,最大连续漏极电流(Id)为17A(在25°C时),适用于各种电子应用,包括电源管理、电机驱动以及开关电源等。其具有良好的导通性能和较低的漏源导通电阻,能够有效降低功耗,并提高系统的可靠性。

关键参数

  • 漏源电压(Vdss): 100V
  • 连续漏极电流(Id): 17A (25°C, TC)
  • 漏源导通电阻 (Rds(on)): 90 mΩ @ 9A, 10V
  • 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250µA
  • 最大功率耗散: 70W (Tc), 3.8W (Ta)
  • 工作温度范围: -55°C 至 175°C

电气特性

IRF530NSTRLPBF 的栅极电荷 (Qg) 最大值为37nC @ 10V,使其具备较快的开关速度。这一特性使得器件在高频应用场合表现出色,能够有效提升系统的工作效率。其输入电容(Ciss)在25V时最大值为920pF,说明其在高频开关动作下的驱动要求相对较低,有利于降低驱动电路的功耗。

封装和安装

该 MOSFET 采用 D2PAK 封装(TO-263-3),这是一种表面贴装型封装形式,提供良好的散热性能,适合高功率应用。D2PAK 的封装设计确保了更好的引线连接性,并且易于自动化生产,对于大量生产的设备具有较好的适应性。

应用领域

IRF530NSTRLPBF 被广泛用于多个电子应用中,尤其是:

  • 电源管理: 在 DC-DC 转换器、开关电源等电源模块中,IRF530NSTRLPBF 的高效能能够显著提高转换效率。
  • 电机驱动: 由于其可以承受高电压和较大电流,适合用于电机驱动电路中,特别是在电动车辆和工业自动化设备中。
  • 开关电路: MOSFET 的高开关速度使其非常适合高频开关应用,包括推动 LED 照明或 RF 功率放大器。

总结

IRF530NSTRLPBF 是一款功能强大且效率高的 N 沟道 MOSFET,具备良好的电气和热性能,适合各种苛刻的工业和消费类电子应用。其低导通电阻、宽广的工作温度范围和高功率处理能力,令其在当今高效能电子设计中凸显出重要的价值。凭借构建在 Infineon 的先进技术平台上,这款 MOSFET 被广泛应用于全球范围内的电源管理和高电流驱动应用中,成为工程师们设计高效可靠电路的理想选择。