类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 17A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 90mΩ@10V,9.0A |
功率(Pd) | 3.8W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 37nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 920pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 19pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRF530NSTRLPBF 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,具有额定漏源电压(Vdss)100V,最大连续漏极电流(Id)为17A(在25°C时),适用于各种电子应用,包括电源管理、电机驱动以及开关电源等。其具有良好的导通性能和较低的漏源导通电阻,能够有效降低功耗,并提高系统的可靠性。
IRF530NSTRLPBF 的栅极电荷 (Qg) 最大值为37nC @ 10V,使其具备较快的开关速度。这一特性使得器件在高频应用场合表现出色,能够有效提升系统的工作效率。其输入电容(Ciss)在25V时最大值为920pF,说明其在高频开关动作下的驱动要求相对较低,有利于降低驱动电路的功耗。
该 MOSFET 采用 D2PAK 封装(TO-263-3),这是一种表面贴装型封装形式,提供良好的散热性能,适合高功率应用。D2PAK 的封装设计确保了更好的引线连接性,并且易于自动化生产,对于大量生产的设备具有较好的适应性。
IRF530NSTRLPBF 被广泛用于多个电子应用中,尤其是:
IRF530NSTRLPBF 是一款功能强大且效率高的 N 沟道 MOSFET,具备良好的电气和热性能,适合各种苛刻的工业和消费类电子应用。其低导通电阻、宽广的工作温度范围和高功率处理能力,令其在当今高效能电子设计中凸显出重要的价值。凭借构建在 Infineon 的先进技术平台上,这款 MOSFET 被广泛应用于全球范围内的电源管理和高电流驱动应用中,成为工程师们设计高效可靠电路的理想选择。