类型 | 2个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 4.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 58mΩ@10V,4.9A |
功率(Pd) | 2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 34nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 710pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
产品名称:IRF7316TRPBF
品牌:Infineon (英飞凌)
封装类型:SO-8
安装类型:表面贴装型 (SMD)
IRF7316TRPBF 是一款高性能的 P 沟道场效应管(MOSFET),其设计旨在满足现代电子设备对功率和效率的严格要求。它具有双通道结构,适合应用于多种场景,包括电源管理、驱动电路和开关电源等。其最大漏源电压为30V,能够在较高电压环境下稳定工作。IRF7316TRPBF 的最大连续漏极电流可达4.9A,这使其适合中等功率应用。
IRF7316TRPBF 适用于广泛的应用场景,以下是若干建议的应用:
IRF7316TRPBF 是一款性能优良的 P 沟道 MOSFET,具备优秀的开关特性和热管理能力,非常适合现代电子产品的需求。作为英飞凌公司的产品,它充分继承了品牌在半导体领域的技术优势。在选择功率开关元件时,IRF7316TRPBF 提供了广泛的应用可能,使其成为设计师和工程师们的理想选择。无论是在消费电子、工业、汽车还是其他需要高性能多功能场景中,IRF7316TRPBF 都是一款重量级的组件。