类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 400V |
连续漏极电流(Id) | 6.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 550mΩ@10V,6.0A |
功率(Pd) | 125W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 63nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.4nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 120pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRF740PBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,专为需要高电压和大电流应用而设计。它具备 400V 的漏源电压 (Vdss) 和 10A 的连续漏极电流 (Id),非常适合用于电源转换、开关电源、逆变器等应用。其出色的功率耗散能力 (125W) 和设计适用的广泛工作温度范围 (-55°C 至 150°C) 使得 IRF740PBF 在极端条件下也能稳定工作。
IRF740PBF 的工作温度范围由 -55°C 至 150°C,这使得它能够在严苛的环境条件下,如汽车、航空航天或工业控制等领域中使用,具有极佳的耐用性和灵活性。
IRF740PBF 的应用涉及到多个高要求的领域,包括但不限于:
IRF740PBF 作为一款高电压、高性能的 N 沟道 MOSFET,凭借其出色的电气性能和极大的应用灵活性,成为现代电子设计中常用的选择。其高漏源电压、低导通电阻及宽工作温度范围使得它特别适合于要求严格的电气工程应用。无论是在开关电源、电动机控制还是在逆变器的应用中,IRF740PBF 都表现出了很高的可靠性和有效性,助力设计者构建高效、稳定的电子系统。