类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 210A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.4mΩ@10V,75A |
功率(Pd) | 300W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@150uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 170nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 6.54nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 360pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
一、引言
在现代电子设计中,场效应管,尤其是金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),在高功率和高频应用中扮演着至关重要的角色。IRFB3206PBF是一款由英飞凌(Infineon)制造的N沟道MOSFET,它结合了优秀的电气特性和广泛的应用潜力,成为高性能电源管理、逆变器和电机驱动等领域的理想选择。
二、主要技术指标
三、性能解析
高功率处理能力: IRFB3206PBF以高达120A的连续漏极电流和300W的功率耗散能力,全方位满足高功率电气应用。这使得该MOSFET在电源转换和电机驱动等高效应用中极具吸引力。
低导通电阻: 最大的导通电阻为3毫欧,对于高电流应用,能够显著降低通道损耗,提升整体能效,减少热量产生。
宽工作温度范围: 其工作温度范围为-55°C至175°C,使得IRFB3206PBF能够在恶劣环境下稳定工作,适用于各种工业和军用设备。
良好的开关性能: 由于其较低的栅极电荷(Qg),IRFB3206PBF能够快速切换,这对高频操作至关重要,有助于提高开关电源的效率。
四、应用领域
IRFB3206PBF因其出色的特性,被广泛应用于多个重要领域,包括但不限于:
五、总结
IRFB3206PBF N沟道MOSFET是一个极具竞争力的元器件,适用于高功率场合,具有极低的导通电阻和宽广的工作温度范围,其出众的开关性能也确保了高效率的能源转换。无论是在电源设计、工业自动化还是电动交通设施中,IRFB3206PBF都能发挥其最大潜力,为现代电子产品提供强有力的支持。选择IRFB3206PBF,将为您的设计带来高效、可靠和经济的解决方案。