漏源电压(Vdss) | 55V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 1.9A |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 160mΩ @ 1.9A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1W | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.9A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 160 毫欧 @ 1.9A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 11nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 190pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 1W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-223 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
IRFL014NTRPBF是一款由英飞凌(Infineon)制造的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于各种电子应用领域。这款器件的漏源电压(Vdss)为55V,能够支持最高1.9A的连续漏极电流(Id),在广泛的工作温度范围内(-55°C至150°C)保持良好的性能,适合于各种需求和工况。
IRFL014NTRPBF的设计和材料选择使其具有低导通电阻、优秀的开关速度以及优良的热稳定性,能够在不同的电力电子应用中提供可靠的性能。这款MOSFET特别适合用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其它需要高效率和高频率开关的应用场合。
IRFL014NTRPBF采用SOT-223封装,便于表面贴装,适用于现代电子电路的高密度设计。这种小型封装减小了PCB占用面积,增加了设计灵活性,同时也降低了材料成本。
IRFL014NTRPBF是一款高性价比的N沟道MOSFET,凭借其诸多出色的电子特性与广泛的适用场景,成为了电源管理、开关控制及工业自动化等领域理想的选择。其优越的热性能、低导通电阻、高电流能力和广泛的工作温度范围,为开发下一代高效电源解决方案提供了坚实的基础。