类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 55V |
连续漏极电流(Id) | 1.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 160mΩ@10V,1.9A |
功率(Pd) | 1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 7nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 190pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 33pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRFL014NTRPBF是一款由英飞凌(Infineon)制造的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于各种电子应用领域。这款器件的漏源电压(Vdss)为55V,能够支持最高1.9A的连续漏极电流(Id),在广泛的工作温度范围内(-55°C至150°C)保持良好的性能,适合于各种需求和工况。
IRFL014NTRPBF的设计和材料选择使其具有低导通电阻、优秀的开关速度以及优良的热稳定性,能够在不同的电力电子应用中提供可靠的性能。这款MOSFET特别适合用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其它需要高效率和高频率开关的应用场合。
IRFL014NTRPBF采用SOT-223封装,便于表面贴装,适用于现代电子电路的高密度设计。这种小型封装减小了PCB占用面积,增加了设计灵活性,同时也降低了材料成本。
IRFL014NTRPBF是一款高性价比的N沟道MOSFET,凭借其诸多出色的电子特性与广泛的适用场景,成为了电源管理、开关控制及工业自动化等领域理想的选择。其优越的热性能、低导通电阻、高电流能力和广泛的工作温度范围,为开发下一代高效电源解决方案提供了坚实的基础。