类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 960mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 540mΩ@10V,0.90A |
功率(Pd) | 3.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.3nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 180pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 15pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRFL110TRPBF 是来自威世 (VISHAY) 的高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET),专为需要高效率和高可靠性的开关与放大应用而设计。该器件采用 SOT-223 表面贴装封装,适用于各种消费电子、电源管理和工业控制系统。
IRFL110TRPBF 的设计特点使得它成为高频开关应用的理想选择。其低 Rds(on) 值 540mΩ 确保了在操作过程中低功率损耗,提高了整体能效。该器件的高漏源电压能力 (Vdss 高达 100V) 使其在高压应用中保持出色的性能。
此外,其良好的栅源极阈值电压和快速的开关特性 (小 Qg 值) 降低了驱动电路的能量消耗,适合于在 PWM(脉宽调制)控制、DC/DC 转换器等需要快速切换的场合使用。
IRFL110TRPBF 广泛应用于各类电子产品中,主要包括但不限于:
IRFL110TRPBF 采用 SOT-223 表面贴装封装,便于在现代 SMT(表面贴装技术)生产线中使用。该封装形式不仅节省了空间,而且有效改善了散热性能,适合高密度电路板设计的需求。
由于其卓越的温度稳定性和耐久性,该器件可以在极端工作条件下保证持续的性能,确保了整个系统在恶劣环境下的可靠性。
IRFL110TRPBF 是一款性能优越的 N 沟道 MOSFET,通过其高电压、高电流能力,以及低导通电阻,展现出了优秀的电气特性和热管理能力,成为现代电子设计中不可或缺的元件。适合广泛的应用场景并以其出色的稳定性和可靠性赢得了工程师们的青睐。对于需要在紧凑设计中同时实现高功率和高效率的项目,IRFL110TRPBF 无疑是一个理想的选择。通过使用此 MOSFET,设计师可以确保其电源管理和驱动系统的高效运行,进而提升整个产品的市场竞争力。