类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 42A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 36mΩ@10V,23A |
功率(Pd) | 160W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 110nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.9nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 230pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFP150MPBF是由英飞凌(Infineon)生产的一款高性能N通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其优异的电气特性和高功率处理能力使其在各种应用中都表现出色。该器件支持高达100V的漏源电压,具有出色的连续漏极电流能力(42A),适合用于高效能电源管理、逆变器、马达驱动器等多种应用。
IRFP150MPBF的工作温度范围为-55°C到175°C,具备极高的温度适应性,适合恶劣环境下的应用,如汽车电子、工业设备以及航空航天等领域。
该器件采用TO-247AC封装,具备良好的散热性能并支持方便的通孔安装方式,简化了PCB板的布局。这种封装能够有效降低芯片工作时的热升高,提升MOSFET的可靠性。
IRFP150MPBF广泛应用于众多领域,包括但不限于:
IRFP150MPBF凭借其低导通电阻、高电流处理能力和广泛的工作温度范围,为工程师提供了一款性能卓越的MOSFET解决方案。这使得该器件在追求高效率和高可靠性的电源管理应用中成为理想的选择。
总之,IRFP150MPBF是一款出色的N通道MOSFET,通过其高效能、宽范围工作条件及灵活的集成方案,可以满足现代电子设计的各种需求。无论是在高负荷、电源转换还是电机驱动领域,IRFP150MPBF均能够提供优越的性能支持,帮助工程师实现高效率和高可靠性的设计目标。