IRFP240PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFP240PBF

商品编码: BM0000287946
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-247-3
包装 : 
管装
重量 : 
8.2g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 150W 200V 20A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存 :
2001(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
5.64
按整 :
管(1管有500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.64
--
500+
¥5.42
--
5000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFP240PBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)20A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)180mΩ@10V,12A
功率(Pd)150W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)70nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.3nF
反向传输电容(Crss@Vds)130pF@25V工作温度-55℃~+150℃

IRFP240PBF手册

IRFP240PBF概述

IRFP240PBF 产品概述

一、产品简介

IRFP240PBF是VISHAY(威世)制造的一款高功率N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其具有高达200V的漏源电压、连续漏极电流可达20A、最大功率耗散150W的卓越性能。这款MOSFET广泛应用于各种高效能电源管理、电机控制、开关电源及其他高功率转换应用中,是电力电子行业不可或缺的基础元器件。

二、关键参数

  1. 漏源电压(Vdss): 200V
    IRFP240PBF支持的最大漏源电压为200V,使其能够在高电压环境下稳定运行。

  2. 连续漏极电流(Id): 20A(在25°C时)
    该产品可承受的最大连续漏电流为20A,相较于许多同类产品,其电流承载能力较强,适合用于需要高电流驱动的应用。

  3. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4V @ 250µA
    临界栅源电压使得MOSFET在低电压下同样能够工作,保证了电路的启动性和可靠性。

  4. 导通电阻(Rds(on)): 180mΩ @ 12A, 10V
    低导通电阻使得在导通状态下产生的功耗降至最低,从而提升了系统的能效。

  5. 最大功率耗散(Pd): 150W(在25°C时)
    随着热管理的合理设计,该MOSFET能够在高功率应用中继续高效工作。

  6. 工作温度: -55°C ~ 150°C
    宽广的工作温度范围确保了该MOSFET在极端环境条件下的可靠性和稳定性。

  7. 封装类型: TO-247-3
    作为一种通孔封装的MOSFET,可以实现良好的散热性能和电气连接。

三、应用场景

IRFP240PBF特别适合用于以下应用:

  1. 开关电源: 高效率的电源转换,特别适用于AC-DC适配器、DC-DC转换器等。
  2. 电机驱动: 负责控制大功率电机的电流,广泛用于工业自动化、家电及电动车辆中。
  3. 电力转换: 实现直流电源管理和变换,通过高效的开关技术降低能耗。
  4. 热管理系统: 与散热器结合使用,适用于高功率电子设备中,提高能量利用率。

四、技术优势

  1. 高可靠性: 该MOSFET具备出色的温度稳定性,极宽的工作温度范围和高压耐受性能够应对各种复杂的工作环境,确保器件的长久稳定性。

  2. 高效性能: 低导通电阻和较小的栅极电荷值实现了低功耗和高效能转换,满足高频开关需求,降低系统发热量。

  3. 易于驱动: 不同的栅极电压(Vgs)设定使得该MOSFET可以与多种控制电路兼容,简化了电路设计的复杂性。

五、结论

IRFP240PBF作为一款高效能、可靠的N沟道MOSFET,在电源管理及电机控制方面提供了极佳的性能。凭借其高漏源电压、高电流承载能力和低功耗等优良参数,IRFP240PBF成为众多工程师在设计电力电子系统时的首选组件。同时,其广泛的应用适应性和可靠性,使其在电力电子行业中占据了重要地位。选用IRFP240PBF,能够为各种应用提供可持续的、高性能的解决方案。