IRFPS37N50APBF

产品概述：IRFPS37N50APBF

概述

IRFPS37N50APBF 是由威世（VISHAY）生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，具有优异的漏源电压和连续漏极电流参数。此器件特别适合于电源管理、电机驱动、逆变器以及其他需要高效开关的应用场景。其最大漏源电压为500V，连续漏极电流高达36A，能够满足多个工业和消费类电子设备的需求。

基本参数

• 漏源电压（Vdss）: 500V
• 连续漏极电流（Id，25°C时）: 36A
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 250µA
• 漏源导通电阻（Rds(on)）: 130mΩ @ 22A，10V
• 最大功率耗散（Tc=25°C）: 446W
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C

技术特点

IRFPS37N50APBF MOSFET 基于最先进的金属氧化物半导体技术设计而成，具备高效能和可靠性的特点。其导通电阻在 10V 驱动电压下仅为 130 毫欧，能够在高负载情况下减少功耗和热量生成，从而提高系统效率。

一个显著的特点是其优越的栅极电荷（Qg），在10V时，可达到180nC。这一低电荷特性使得器件在开关频率较高的应用中变得更加高效，从而减少了开关损耗和干扰。该器件的输入电容（Ciss）为5579pF @ 25V，确保其能够在宽频带内以高速度切换。

应用场景

IRFPS37N50APBF MOSFET 拥有广泛的应用领域，特别适用于：

1. 电源转换器：如DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等。
2. 电机控制：用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动电路。
3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他可再生能源应用中，能有效提升能量转换效率。
4. 开关电源：在高频开关供应电源设计中展现出优异性能。

封装和安装

IRFPS37N50APBF 采用超级 247（TO-274AA）封装，适用于通孔安装。这种封装样式提供了良好的散热性能，方便与散热片结合使用，确保MOSFET在高功率操作中保持稳定温度。此外，TO-274AA 封装的结构设计允许简化布局和布线，提高整体电路板密度。

结论

凭借其卓越的性能参数和多样化的应用能力，VISHAY 的 IRFPS37N50APBF N 通道 MOSFET 无疑是现代电子设计中的理想选择。无论是在电源控制、电机驱动还是逆变器中，其高效表现和可靠性都将极大推动电子设备的性能优化，满足市场对高效能、高可靠性元器件的需求。选择 IRFPS37N50APBF，便是选择了一种卓越的解决方案，为下一代电子产品的发展奠定基础。