IRFR3709ZTRPBF

IRFR3709ZTRPBF 产品概述

一、基本信息

IRFR3709ZTRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（金属氧化物场效应管），由知名半导体厂商 Infineon（英飞凌）提供。其设计旨在支持高功率和高效率的电子应用，具有出色的导通性能和热管理能力。该器件的关键参数包括最大漏源电压为30V，最大连续漏极电流为86A，功率耗散能力高达79W，适合各种苛刻的工业和消费电子产品使用。

二、技术规格

1. FET 类型: N 通道
2. 技术: MOSFET（金属氧化物）
3. 漏源电压（Vdss）: 30V
4. 连续漏极电流（Id）: 86A（在控制温度Tc下）
5. 导通电阻（Rds on）: 在10V驱动电压下，最大值为6.5毫欧（@15A）
6. 栅极至源极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为2.25V（@250µA）
7. 电源驱动电压: 4.5V（用于最小 Rds On），10V（用于最大 Rds On）
8. 栅极电荷（Qg）: 最大值为26nC（@4.5V）
9. 输入电容（Ciss）: 最大值为2330pF（@15V）
10. 功率耗散: 最大79W（Tc）
11. 工作温度: -55°C 至 175°C（TJ）
12. 封装类型: TO-252-3（D-Pak，表面贴装型）

三、应用场景

IRFR3709ZTRPBF 能够广泛应用于多个领域，包括：

1. 电源管理: 适用于开关电源、DC-DC 转换器及其他高效电力转换应用。
2. 电动驱动: 在电机控制和驱动中，MOSFET 作为功率开关和整流器的关键元件。
3. 逆变器: 在太阳能逆变器和其他可再生能源系统中，作为高效率能量转换的基础模块。
4. 汽车电子: 可用于电动汽车的动力系统、充电机及电池管理系统中，提供高效率和可靠性。
5. 通用电子产品: 广泛应用于消费类电子设备中，承担提供高效开关与放大功能的任务。

四、性能优势

1. 高效能处理: IRFR3709ZTRPBF 具备低导通电阻和高电流承载能力，使得在高电流应用中能够有效降低功耗和热量产生，提高系统的整体效率。
2. 宽工作温度范围: 该器件的工作温度范围从-55°C至175°C，意味着其在极端环境条件下也能稳定工作，确保系统的可靠性。
3. 优秀的热管理: 79W的最大功率耗散能力确保其在高负载条件下依然具备良好的热稳定性，这对延长元件的使用寿命至关重要。
4. 适应性强: 适合各种栅极驱动电压（4.5V 和 10V），为设计师提供了更大的设计灵活性。
5. 表面贴装封装: TO-252-3（D-Pak）封装适合现代电子装置的自动化生产，有助于缩小整体产品体积并提高生产效率。

五、总结

综上所述，IRFR3709ZTRPBF 是一款性能强劲、应用广泛的 N 通道 MOSFET，特别适用于对功率密度和效率要求较高的应用场景。其优越的电气特性和宽广的工作温度范围，使其在电源管理、电动驱动和汽车电子等多个领域成为理想选择。Infineon 作为其制造商，保障了该产品的质量和可靠性，是您设计及应用电子产品时的理想合作伙伴。