类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 1.6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 220mΩ@10V |
功率(Pd) | 1.3W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@25uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.5nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 290pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 13pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRLML0100TRPBF是一款典型的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为高效能和低功耗应用而设计,符合现代电子设备日益增长的性能要求。由英飞凌(Infineon)公司生产,该MOSFET具有出色的电气性能和广泛的应用场景,适用于开关电源、马达驱动、电池管理系统、消费电子及电力电子等多个领域。
漏源电压 (Vdss): 最大为100V,能够满足多个高压电路的需求,适合在高电压条件下运行。
连续漏极电流 (Id): 在25°C环境温度下,额定的连续漏极电流为1.6A,保证了在一定负载下稳定输出。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 为2.5V @ 25µA,这一较低的阈值电压使得MOSFET能够在较低的驱动电压下快速导通,增加了电路的响应速度和控制精度。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 在10V驱动电压下,导通电阻为220mΩ @ 1.6A,低导通电阻不仅减少了功率损耗,还提高了效率,延长了设备的使用寿命。
驱动电压: IRLML0100TRPBF支持4.5V至10V的驱动电压,适应多种控制电路设计。
输入电容 (Ciss): 最大值为290pF @ 25V,这一性能确保了在高频应用中的良好开关行为。
栅极电荷 (Qg): 最大值为2.5nC @ 4.5V,这对于快速切换的应用来说非常重要,因为低栅极电荷能有效降低开关损耗。
最大功率耗散 (Pd): 在25°C环境温度下,最大功率耗散能力为1.3W,有效支持高效能的功率管理设计。
工作温度范围: 可在-55°C ~ 150°C的宽温度范围内稳定工作,适合恶劣环境下的应用。
封装: 使用小尺寸的SOT-23(Micro3)封装,方便表面贴装,节省电路板空间。
IRLML0100TRPBF广泛应用于多个领域,例如:
IRLML0100TRPBF的设计考虑到了现代电子设备对效率、稳定性和空间优化的需求。其低导通电阻特性能够有效减少发热和功率损耗,从而提高了整体系统的效率。此外,宽广的工作温度范围使其适用于不同的操作环境,提高了通用性和适应性。
总体而言,IRLML0100TRPBF是一款高效的N沟道MOSFET,具备优秀的电气特性和可靠的性能,适合多种应用场景。其小巧的封装、低导通电阻及宽广的工作温度范围,使其在现代电子设计中成为理想选择。无论是在功率管理、马达控制还是其他需要高效转换的应用中,IRLML0100TRPBF都能提供出色的解决方案,为设计师在开发下一代电子产品时提供强有力的支持。