MMBT3906,215 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

MMBT3906,215

商品编码: BM0000288063
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.024g
描述 : 
三极管(BJT) 250mW 40V 200mA PNP SOT-23
库存 :
235157(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.233
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.233
--
200+
¥0.0776
--
1500+
¥0.0485
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBT3906,215参数

晶体管类型PNP集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V功率(Pd)250mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@10mA,1V特征频率(fT)250MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)400mV@50mA,5mA

MMBT3906,215手册

MMBT3906,215概述

产品概述:MMBT3906,215 PNP晶体管

基本信息

MMBT3906,215是一款高性能的PNP型双极晶体管(BJT),在电子元器件领域内应用广泛。其主要参数包括额定功率250mW,集电极电流Ic最大值达200mA,以及集射极击穿电压Vce最高可达40V。这款晶体管适合用于多种低功耗应用,特别是在需要高电流放大和开关的电路中表现优越。

结构与封装

MMBT3906,215采用TO-236AB封装,这种表面贴装型(SMD)外形小巧,适合在空间受限的电路板上安装。其封装型号包括TO-236-3、SC-59和SOT-23-3。紧凑的设计使其在提供高性能的同时,节省了电路板空间,有利于现代电子产品的设计趋向微型化和高密度集成。

性能参数

  • 额定功率: MMBT3906能承受的最大功率为250mW,适合于要求较低功率的应用场景。
  • 电流与电压: 该晶体管的集电极电流(Ic)最大值为200mA,说明其在作为开关或放大器时能够支持较大的负载。此外,其集射极击穿电压(Vce)最大为40V,适用于中低电压的电路设计。
  • 饱和压降: 在不同的输入电流(Ib)下,该器件显示出良好的饱和特性,其中在Ic为5mA或50mA时,其Vce饱和压降最大为400mV。这意味着在开关操作中,器件能有效降低功耗和热量产生,提高系统的整体效率。
  • 电流增益: 在10mA的集电极电流下,MMBT3906的直流电流增益(hFE)最小为100,这使得它在低功耗的信号放大应用中表现良好。

频率特性

MMBT3906,215具有250MHz的跃迁频率,这一特性使其能够支持高频率的信号处理应用,适合用于射频放大和开关电路。这使得它在现代数码电子以及无线通信设备中得到了广泛应用。

工作温度

器件的工作温度范围可达到150°C的结温(TJ),使其在相对恶劣的环境条件下也能稳定工作。温度等级的提升意味着MMBT3906能在高温环境下保持可靠性,适用于汽车电子、工业控制等需要高温耐受的场合。

应用场景

MMBT3906,215广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  1. 开关电路: 由于其良好的饱和特性和高电流承受能力,适合用于继电器驱动和电机控制。
  2. 信号放大: 在音频放大和视频信号处理等领域,该晶体管提供必要的增益,确保信号的完整性。
  3. 低功耗电子产品: 由于其功耗小、效率高的特性,特别适合于电池供电的便携式设备。

总结

MMBT3906,215是一款性能卓越的PNP型晶体管,凭借其优良的电参数、紧凑的封装及广泛的应用领域,成为电子设计工程师的理想选择。随着现代电子产品对小型化、优化功耗和提升性能的需求日益增长,这款晶体管无疑将在未来的电子设计中发挥重要作用。选择MMBT3906,215,您将获得稳定和高效的电子解决方案。