晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 600mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 150V | 功率(Pd) | 310mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 60@10mA,5.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@10mA,1.0mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMBT5401-7-F 是一款高性能的PNP型晶体管,专为小型化电子设备而设计。其极小的封装尺寸(SOT-23)使其适合在空间受限的应用中使用,能够在广泛的环境条件下稳定工作。这款晶体管能够承受高达150V的集射极击穿电压(Vce),并支持最大集电极电流为600mA,适合用于功率放大和开关应用。
高电压与高电流承受能力: MMBT5401-7-F 能够承受高达150V的电压和600mA的电流,适合在高压高流应用中的使用,特别是需要高电压开关的场合。
小尺寸封装: 采用SOT-23封装,使得该晶体管在电路设计中更加灵活,可以有效节省板面空间,特别适用于便携式设备和智能手机等紧凑型应用。
低饱和压降: 在5mA及50mA条件下,饱和压降仅为500mV,能够有效提高电路的能效,减少能量损耗,提升整体性能。
宽工作温度范围: 工作温度范围为-55°C至150°C,使其能够在极端环境下正常工作,增强了其在工业和汽车应用中的适应性。
良好的频率响应: 在300MHz的跃迁频率非常适合用于高频开关应用,例如射频放大器和无线通信设备。
MMBT5401-7-F 是一款广泛适用于各种电子设备的晶体管,特别适合以下领域:
MMBT5401-7-F 是一款功能强大的PNP型晶体管,凭借其优越的电气特性和可靠的工作性能,得到了广泛的应用。无论是在消费类电子产品、汽车电子、还是通信领域,这款晶体管都能有效地满足高压高流及高频应用的需求,为设计师提供了极佳的选择。它的小型化设计和宽广的工作环境适应性,将为现代电子设计带来更多可能性。选择MMBT5401-7-F,您的设计将具备卓越的性能和可靠的稳定性。