晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 1A |
集射极击穿电压(Vceo) | 100V | 功率(Pd) | 480mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 150@250mA,10V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@1A,100mA |
PBSS8110T,215 产品概述
PBSS8110T,215 是一款由安世半导体(Nexperia)生产的高性能NPN晶体管,采用SOT-23-3封装设计。该元器件专为低功耗和高频应用而设计,符合现代电子产品的多种需求。其具有优异的电气性能和极高的可靠性,使其在各类电子设备中的应用广泛,包括开关电源、信号放大器和电机驱动电路等。
PBSS8110T,215 的设计保证了在多种工作条件下的稳定性和高效能。其集电极电流(Ic)最大值为1A,能够支持大于千毫安级的负载,适合用于需要较大驱动电流的应用。同时,其集射极击穿电压(Vce)高达100V,能够在高电压环境中安全工作。
为了提升开关效率,该晶体管的饱和压降(Vce(sat))在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)条件下,最大值为200mV,测试条件为100mA和1A。这一特性在开关转换应用中尤为重要,能够减少功耗,从而提高整体系统的效率。
PBSS8110T,215 的直流电流增益(hFE)在推荐工作条件下,至少可达到150,这使得该晶体管在信号放大时能够实现较高的增益,支持更多的应用场景。
PBSS8110T,215 广泛应用于多个领域,特别是在便携式设备、工业自动化、汽车电子以及智能家居等应用中。其典型应用包括:
SOT-23-3封装具有小型化、轻量化的优点,适用于密集的PCB设计,且表面贴装技术(SMT)使其易于自动化生产。该封装不仅优化了电路布局,还可减少PCB的占用空间,提升设备的整体性能和可靠性。
PBSS8110T,215 是一款结合了高性能与可靠性的NPN晶体管,适用于多种现代电子应用。其在功率、频率、封装和电气特性方面的卓越表现,使其成为设计工程师的理想选择。无论是在提升开关电源效率,还是在信号放大和驱动应用中,PBSS8110T,215 都展现出了其出色的性能与价值,助力电子产品的不断创新与发展。