PMPB20EN,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PMPB20EN,115

商品编码: BM0000288188
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
DFN2020MD-6
包装 : 
编带
重量 : 
0.016g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.7W;12.5W 30V 7.2A 1个N沟道 DFN2020MD-6
库存 :
1546(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.363
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.363
--
3000+
¥0.339
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PMPB20EN,115参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7.2A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)19.5mΩ@10V,7A
功率(Pd)1.7W;12.5W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)10.8nC@10V输入电容(Ciss@Vds)435pF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

PMPB20EN,115手册

PMPB20EN,115概述

PMPB20EN,115 产品概述

一、产品简介

PMPB20EN,115 是 Nexperia(安世)公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET,经过特别设计,适用于各种电力电子应用。这款 MOSFET 以其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、马达驱动以及其他请求高效能与高功率密度的电路中。其小巧的 DFN2020MD-6 封装设计,不仅有助于节省板级空间,还能有效提高散热性能。

二、核心参数

  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 最大连续漏极电流(Id): 7.2A(在 25°C 时)
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 2V @ 250µA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 19.5mΩ @ 7A,10V
  • 最大功率耗散(Ta=25°C): 1.7W,最大值可达 12.5W(在 Tc 时)
  • 驱动电压: 4.5V 和 10V,适用于不同的 Rds(on) 状态
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C(TJ)

三、性能特性

PMPB20EN,115 的设计使其能在多种条件下保持卓越的性能。其低的漏源导通电阻(Rds(on))为应用提供了高效的电流传导,显著降低了能量损耗,适合高功率和高频率应用环境。漏源电压最高可达 30V,使其适用于各种电压敏感的应用场合。

MOSFET 的栅源极阈值电压为 2V (在 250 µA下),优化了其开关特性,并支持由较低电压驱动的应用。同时,10V 下的栅极电荷(Qg)最大值为 10.8nC,确保了在开关操作时的快速响应能力,减少了开关损耗。

四、可靠性与适用性

PMPB20EN,115 的工作温度范围达到 -55°C 至 150°C,适用于恶劣环境下的长期可靠运行。此特性对于汽车、航空航天以及工业设备等特殊应用尤为重要,确保在极端温度和恶劣条件下也能维持其稳定工作。

其中,DFN2020MD-6 封装不仅提高了器件的热性能,更为设计工程师提供了更好的布局灵活性。该封装形式优化了电气性能,特别是与高频应用相关的 EMI 和信号完整性问题。

五、应用领域

PMPB20EN,115 适合多种电力电子应用,包括但不限于:

  • 开关电源(Swiitching Power Supplies)
  • DC-DC 转换器
  • 电动机驱动和控制
  • 高效率的电源管理系统
  • 各类便携式电子设备

六、总结

作为 Nexperia(安世)提供的一款优秀 N 沟道 MOSFET,PMPB20EN,115 凭借出色的电气特性、可靠性以及多样的应用环境,成为用户电力控制设计中的理想选择。无论是在高端实验室还是在商业化大规模生产环境中,其高效表现均能满足苛刻的技术要求。通过选用 PMPB20EN,115,设计师可以在确保产品性能的同时,优化其设计方案与成本,促进更高效的产品开发与普及。