类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 7.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 19.5mΩ@10V,7A |
功率(Pd) | 1.7W;12.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10.8nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 435pF@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
PMPB20EN,115 是 Nexperia(安世)公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET,经过特别设计,适用于各种电力电子应用。这款 MOSFET 以其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、马达驱动以及其他请求高效能与高功率密度的电路中。其小巧的 DFN2020MD-6 封装设计,不仅有助于节省板级空间,还能有效提高散热性能。
PMPB20EN,115 的设计使其能在多种条件下保持卓越的性能。其低的漏源导通电阻(Rds(on))为应用提供了高效的电流传导,显著降低了能量损耗,适合高功率和高频率应用环境。漏源电压最高可达 30V,使其适用于各种电压敏感的应用场合。
MOSFET 的栅源极阈值电压为 2V (在 250 µA下),优化了其开关特性,并支持由较低电压驱动的应用。同时,10V 下的栅极电荷(Qg)最大值为 10.8nC,确保了在开关操作时的快速响应能力,减少了开关损耗。
PMPB20EN,115 的工作温度范围达到 -55°C 至 150°C,适用于恶劣环境下的长期可靠运行。此特性对于汽车、航空航天以及工业设备等特殊应用尤为重要,确保在极端温度和恶劣条件下也能维持其稳定工作。
其中,DFN2020MD-6 封装不仅提高了器件的热性能,更为设计工程师提供了更好的布局灵活性。该封装形式优化了电气性能,特别是与高频应用相关的 EMI 和信号完整性问题。
PMPB20EN,115 适合多种电力电子应用,包括但不限于:
作为 Nexperia(安世)提供的一款优秀 N 沟道 MOSFET,PMPB20EN,115 凭借出色的电气特性、可靠性以及多样的应用环境,成为用户电力控制设计中的理想选择。无论是在高端实验室还是在商业化大规模生产环境中,其高效表现均能满足苛刻的技术要求。通过选用 PMPB20EN,115,设计师可以在确保产品性能的同时,优化其设计方案与成本,促进更高效的产品开发与普及。