PMPB20EN,115

PMPB20EN,115 产品概述

一、产品简介

PMPB20EN,115 是 Nexperia（安世）公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，经过特别设计，适用于各种电力电子应用。这款 MOSFET 以其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、马达驱动以及其他请求高效能与高功率密度的电路中。其小巧的 DFN2020MD-6 封装设计，不仅有助于节省板级空间，还能有效提高散热性能。

二、核心参数

• 漏源电压（Vdss）: 30V
• 最大连续漏极电流（Id）: 7.2A（在 25°C 时）
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 2V @ 250µA
• 漏源导通电阻（Rds(on)）: 19.5mΩ @ 7A，10V
• 最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.7W，最大值可达 12.5W（在 Tc 时）
• 驱动电压: 4.5V 和 10V，适用于不同的 Rds(on) 状态
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C（TJ）

三、性能特性

PMPB20EN,115 的设计使其能在多种条件下保持卓越的性能。其低的漏源导通电阻（Rds(on)）为应用提供了高效的电流传导，显著降低了能量损耗，适合高功率和高频率应用环境。漏源电压最高可达 30V，使其适用于各种电压敏感的应用场合。

MOSFET 的栅源极阈值电压为 2V (在 250 µA下)，优化了其开关特性，并支持由较低电压驱动的应用。同时，10V 下的栅极电荷（Qg）最大值为 10.8nC，确保了在开关操作时的快速响应能力，减少了开关损耗。

四、可靠性与适用性

PMPB20EN,115 的工作温度范围达到 -55°C 至 150°C，适用于恶劣环境下的长期可靠运行。此特性对于汽车、航空航天以及工业设备等特殊应用尤为重要，确保在极端温度和恶劣条件下也能维持其稳定工作。

其中，DFN2020MD-6 封装不仅提高了器件的热性能，更为设计工程师提供了更好的布局灵活性。该封装形式优化了电气性能，特别是与高频应用相关的 EMI 和信号完整性问题。

五、应用领域

PMPB20EN,115 适合多种电力电子应用，包括但不限于：

• 开关电源（Swiitching Power Supplies）
• DC-DC 转换器
• 电动机驱动和控制
• 高效率的电源管理系统
• 各类便携式电子设备

六、总结

作为 Nexperia（安世）提供的一款优秀 N 沟道 MOSFET，PMPB20EN,115 凭借出色的电气特性、可靠性以及多样的应用环境，成为用户电力控制设计中的理想选择。无论是在高端实验室还是在商业化大规模生产环境中，其高效表现均能满足苛刻的技术要求。通过选用 PMPB20EN,115，设计师可以在确保产品性能的同时，优化其设计方案与成本，促进更高效的产品开发与普及。