类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 25V |
连续漏极电流(Id) | 100A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.99mΩ@10V,25A |
功率(Pd) | 272W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.95V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 110nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 6.775nF@12V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
PSMN0R9-25YLC,115 是由安世(Nexperia)公司生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),该器件广泛应用于功率管理、开关电源、逆变器等多种电子电路中。该MOSFET在输入电压低至25V的条件下,能够承受巨大的连续漏极电流,展现出优异的导通性能和散热能力。
漏源电压(Vdss): 该MOSFET的漏源电压为25V,确保其能够安全、高效地操作在大多数低电压应用中。
连续漏极电流(Id): 在25°C环境温度下,该MOSFET支持最大连续漏极电流为100A,这使得它能够处理高功率的应用场景。
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 该参数为1.95V @ 1mA,表明MOSFET能够在相对低的电压下开启,降低了驱动电流的要求。
漏源导通电阻(Rds(on)): 最大导通电阻为0.99mΩ(@ 25A, 10V),表明在开启状态下该器件能够保持很低的导通损耗,有助于提高电路的整体效率。
输入电容(Ciss): 最大输入电容值为6775pF @ 12V,这一特性对于高频开关应用尤为重要,能够影响开关速度及损耗。
栅极电荷(Qg): 栅极电荷最大值为110nC @ 10V,提供快速而有效的开关能力,满足高频开关的需求。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围极广 (-55°C ~ 175°C),适合于各种严苛环境下的应用。
封装类型: PSMN0R9-25YLC,115 采用LFPAK56 和 Power-SO8 封装,具有较好的热管理特性,便于表面贴装,减少空间占用。
得益于其优异的电气特性,PSMN0R9-25YLC,115 可以在多个关键领域中发挥重要作用,包括但不限于:
PSMN0R9-25YLC,115 是一款高度先进的N沟道MOSFET,具备极佳的导电性、较低的导通电阻和广泛的应用灵活性。其设计充分考虑了现代电子电路对高效能和高可靠性的需求,是工程师选择的理想元件。无论是在高频交易还是高功率应用过程中,该器件都能提供卓越的性能表现,是高科技设计中的理想 选择。