PSMN0R9-25YLC,115
PSMN0R9-25YLC,115参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 25V |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.99mΩ@10V,25A |
| 功率(Pd) | 272W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.95V@1mA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 110nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 6.775nF@12V |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
PSMN0R9-25YLC,115手册
PSMN0R9-25YLC,115概述
PSMN0R9-25YLC,115 产品概述
PSMN0R9-25YLC,115 是由安世（Nexperia）公司生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），该器件广泛应用于功率管理、开关电源、逆变器等多种电子电路中。该MOSFET在输入电压低至25V的条件下，能够承受巨大的连续漏极电流，展现出优异的导通性能和散热能力。
主要技术参数
漏源电压（Vdss）: 该MOSFET的漏源电压为25V，确保其能够安全、高效地操作在大多数低电压应用中。
连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，该MOSFET支持最大连续漏极电流为100A，这使得它能够处理高功率的应用场景。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 该参数为1.95V @ 1mA，表明MOSFET能够在相对低的电压下开启，降低了驱动电流的要求。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 最大导通电阻为0.99mΩ（@ 25A, 10V），表明在开启状态下该器件能够保持很低的导通损耗，有助于提高电路的整体效率。
输入电容（Ciss）: 最大输入电容值为6775pF @ 12V，这一特性对于高频开关应用尤为重要，能够影响开关速度及损耗。
栅极电荷（Qg）: 栅极电荷最大值为110nC @ 10V，提供快速而有效的开关能力，满足高频开关的需求。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围极广 (-55°C ~ 175°C)，适合于各种严苛环境下的应用。
封装类型: PSMN0R9-25YLC,115 采用LFPAK56 和 Power-SO8 封装，具有较好的热管理特性，便于表面贴装，减少空间占用。
应用领域
得益于其优异的电气特性，PSMN0R9-25YLC,115 可以在多个关键领域中发挥重要作用，包括但不限于：
- 开关电源 (SMPS): 在需要高效转换和稳定输出的场合，这款MOSFET被常用于整流和调节电流，显著提高系统效率。
- 电机驱动: 由于其高效率与高电流承载能力，该MOSFET常用于电机控制电路中，提供快速的开关速度和较低的热损耗。
- 电源管理: 同样适用于各种电源管理IC中，以提高电源等级转换的效率，减少能量浪费。
- 逆变器应用: 适合于太阳能逆变器和电动车驱动工程中，以确保高效和可靠的功率转换。
总结
PSMN0R9-25YLC,115 是一款高度先进的N沟道MOSFET，具备极佳的导电性、较低的导通电阻和广泛的应用灵活性。其设计充分考虑了现代电子电路对高效能和高可靠性的需求，是工程师选择的理想元件。无论是在高频交易还是高功率应用过程中，该器件都能提供卓越的性能表现，是高科技设计中的理想 选择。