PSMN0R9-25YLC,115 产品实物图片
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PSMN0R9-25YLC,115

商品编码: BM0000288191
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
LFPAK56,Power-SO8
包装 : 
编带
重量 : 
0.15g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 272W 25V 100A 1个N沟道 SOT-669
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
11.58
按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥11.58
--
1500+
¥11.3
--
22500+
产品参数
产品手册
产品概述

PSMN0R9-25YLC,115参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)25V
连续漏极电流(Id)100A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)0.99mΩ@10V,25A
功率(Pd)272W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.95V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)110nC@10V输入电容(Ciss@Vds)6.775nF@12V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

PSMN0R9-25YLC,115手册

PSMN0R9-25YLC,115概述

PSMN0R9-25YLC,115 产品概述

PSMN0R9-25YLC,115 是由安世(Nexperia)公司生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),该器件广泛应用于功率管理、开关电源、逆变器等多种电子电路中。该MOSFET在输入电压低至25V的条件下,能够承受巨大的连续漏极电流,展现出优异的导通性能和散热能力。

主要技术参数

  1. 漏源电压(Vdss): 该MOSFET的漏源电压为25V,确保其能够安全、高效地操作在大多数低电压应用中。

  2. 连续漏极电流(Id): 在25°C环境温度下,该MOSFET支持最大连续漏极电流为100A,这使得它能够处理高功率的应用场景。

  3. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 该参数为1.95V @ 1mA,表明MOSFET能够在相对低的电压下开启,降低了驱动电流的要求。

  4. 漏源导通电阻(Rds(on)): 最大导通电阻为0.99mΩ(@ 25A, 10V),表明在开启状态下该器件能够保持很低的导通损耗,有助于提高电路的整体效率。

  5. 输入电容(Ciss): 最大输入电容值为6775pF @ 12V,这一特性对于高频开关应用尤为重要,能够影响开关速度及损耗。

  6. 栅极电荷(Qg): 栅极电荷最大值为110nC @ 10V,提供快速而有效的开关能力,满足高频开关的需求。

  7. 工作温度范围: 该器件的工作温度范围极广 (-55°C ~ 175°C),适合于各种严苛环境下的应用。

  8. 封装类型: PSMN0R9-25YLC,115 采用LFPAK56 和 Power-SO8 封装,具有较好的热管理特性,便于表面贴装,减少空间占用。

应用领域

得益于其优异的电气特性,PSMN0R9-25YLC,115 可以在多个关键领域中发挥重要作用,包括但不限于:

  • 开关电源 (SMPS): 在需要高效转换和稳定输出的场合,这款MOSFET被常用于整流和调节电流,显著提高系统效率。
  • 电机驱动: 由于其高效率与高电流承载能力,该MOSFET常用于电机控制电路中,提供快速的开关速度和较低的热损耗。
  • 电源管理: 同样适用于各种电源管理IC中,以提高电源等级转换的效率,减少能量浪费。
  • 逆变器应用: 适合于太阳能逆变器和电动车驱动工程中,以确保高效和可靠的功率转换。

总结

PSMN0R9-25YLC,115 是一款高度先进的N沟道MOSFET,具备极佳的导电性、较低的导通电阻和广泛的应用灵活性。其设计充分考虑了现代电子电路对高效能和高可靠性的需求,是工程师选择的理想元件。无论是在高频交易还是高功率应用过程中,该器件都能提供卓越的性能表现,是高科技设计中的理想 选择。