SI1967DH-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI1967DH-T1-GE3

商品编码: BM0000288260
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SC-70-6(SOT-363)
包装 : 
编带
重量 : 
0.04g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 1.3A 2个P沟道 SOT-363
库存 :
14500(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.792
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.792
--
3000+
¥0.735
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI1967DH-T1-GE3参数

类型2个P沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.3A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)490mΩ@4.5V,1.3A
功率(Pd)740mW阈值电压(Vgs(th)@Id)400mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)1.6nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)110pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)16pF@10V工作温度-55℃~+150℃

SI1967DH-T1-GE3手册

SI1967DH-T1-GE3概述

SI1967DH-T1-GE3 产品概述

产品简介

SI1967DH-T1-GE3 是一款由VISHAY(威世)提供的双P沟道场效应晶体管(MOSFET),采用SC-70-6(二 SOT-363)封装。该MOSFET最大漏源电压(Vdss)为20V,连续漏极电流(Id)可达1.3A,具备极低的栅源阈值电压和导通电阻,能够满足高性能低功耗电子应用的需求。

主要规格

  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 连续漏极电流(Id): 1.3A(在25°C时)
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 1V @ 250µA
  • 漏源导通电阻(RDS(on)): 790mΩ @ 250mA, 1.8V;490mΩ @ 910mA, 4.5V
  • 最大功率耗散: 1.25W (在室温25°C下)
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • 输入电容(Ciss): 110pF @ 10V
  • 栅极电荷(Qg): 4nC @ 8V
  • 封装类型: SC-70-6(SOT-363)

应用领域

SI1967DH-T1-GE3 MOSFET 适用于多种应用场景,主要包括但不限于:

  1. 功率管理: 由于其低导通电阻和高效能,适合用于电源开关,电源转换器以及负载开关等功率管理解决方案。
  2. 低功耗电路: MOSFET 所具备的逻辑电平门特性使其在低电压驱动的应用中表现优异,尤其是在移动设备和便携式设备中。
  3. 音频和信号开关: 可用于音频信号开关和其他信号控制电路,其快速开关时间保证了信号的完整性。
  4. 汽车电子: 适合用于汽车电源分配和其他高温环境下的应用,得益于其宽广的工作温度范围。

性能优势

  1. 低功耗和高效率: 该MOSFET的设计重点在于降低导通电阻,极大地减少了在开关状态下的功率损耗,从而提高了整体系统的能效。
  2. 高温稳定性: 具有优良的热管理能力,适用于极端环境,满足汽车电子的高温要求。
  3. 紧凑的封装: SC-70-6 封装形式节省了PCB空间,使其非常适合于高密度的电路设计。
  4. 易于驱动: 低阈值电压使得它可以用较低的电压驱动,简化了电路设计。

结论

SI1967DH-T1-GE3 是一款技术先进、功能强大的双P沟道MOSFET。凭借其优秀的电气性能和可靠的制造工艺,VISHAY为其加入了多种电源管理和信号控制应用的便利性。无论是在消费电子、汽车电子还是工业控制领域,SI1967DH-T1-GE3都展现出强大的竞争力,是设计师和工程师们的理想选择。随着技术的不断进步,该产品将继续在各类创新应用中发挥重要角色。