类型 | 2个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 1.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 490mΩ@4.5V,1.3A |
功率(Pd) | 740mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.6nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 110pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 16pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI1967DH-T1-GE3 是一款由VISHAY(威世)提供的双P沟道场效应晶体管(MOSFET),采用SC-70-6(二 SOT-363)封装。该MOSFET最大漏源电压(Vdss)为20V,连续漏极电流(Id)可达1.3A,具备极低的栅源阈值电压和导通电阻,能够满足高性能低功耗电子应用的需求。
SI1967DH-T1-GE3 MOSFET 适用于多种应用场景,主要包括但不限于:
SI1967DH-T1-GE3 是一款技术先进、功能强大的双P沟道MOSFET。凭借其优秀的电气性能和可靠的制造工艺,VISHAY为其加入了多种电源管理和信号控制应用的便利性。无论是在消费电子、汽车电子还是工业控制领域,SI1967DH-T1-GE3都展现出强大的竞争力,是设计师和工程师们的理想选择。随着技术的不断进步,该产品将继续在各类创新应用中发挥重要角色。