类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 2.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 57mΩ@4.5V,2.9A |
功率(Pd) | 860mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 850mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.5nC@4.5V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
概述:
SI2302CDS-T1-E3 是来自知名品牌 VISHAY(威世)的 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计专为低功耗和高速开关应用而研发,广泛应用于电源管理、马达驱动和各种电子设备中。该 MOSFET 的小型封装使其非常适合需要紧凑设计和高效散热的场合,尤其是在便携式电子产品和高密度电路板中。
产品特点:
电气特性:
功率特点:
驱动特性:
封装与安装:
应用领域:
由于其优异的性能,SI2302CDS-T1-E3 MOSFET 可广泛应用于以下几个领域:
结论:
SI2302CDS-T1-E3 是一款高效、可靠的小型 N 沟道 MOSFET,具备出色的电流承载和导通过性,同时在高温和高频率条件下仍能保持良好性能。凭借其优秀的参数特性和广泛的应用场景,该产品能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求,是电子工程师和设计师理想的选择。无论是在高效电源设计、马达控制还是其他开关应用中,SI2302CDS-T1-E3 都能提供出色的性能表现,是行业内值得信赖的元器件。