SI2302CDS-T1-E3 产品实物图片
SI2302CDS-T1-E3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI2302CDS-T1-E3

商品编码: BM0000288262
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.035g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 710mW 20V 2.6A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.363
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.363
--
3000+
¥0.339
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI2302CDS-T1-E3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.9A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)57mΩ@4.5V,2.9A
功率(Pd)860mW阈值电压(Vgs(th)@Id)850mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)3.5nC@4.5V工作温度-55℃~+150℃

SI2302CDS-T1-E3手册

SI2302CDS-T1-E3概述

SI2302CDS-T1-E3 产品概述

概述:
SI2302CDS-T1-E3 是来自知名品牌 VISHAY(威世)的 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计专为低功耗和高速开关应用而研发,广泛应用于电源管理、马达驱动和各种电子设备中。该 MOSFET 的小型封装使其非常适合需要紧凑设计和高效散热的场合,尤其是在便携式电子产品和高密度电路板中。

产品特点:

  1. 电气特性

    • 漏源电压(Vdss):20V,适用于低压应用场景;
    • 连续漏极电流(Id):在 25°C 环境下达到 2.6A,提供良好的负载能力;
    • 栅源极阈值电压(Vgs(th)):850mV @ 250µA,保证良好的开关控制;
    • 漏源导通电阻(Rds(on)):57mΩ @ 3.6A,4.5V,确保低功耗和低发热。
  2. 功率特点

    • 最大功率耗散:710mW(在 25°C 时),确保在一般操作条件下的稳定性和安全性;
    • 工作温度范围:-55°C 至 150°C,适应各种严苛的工作环境。
  3. 驱动特性

    • 最大驱动电压:2.5V 至 4.5V,提供广泛兼容性,适合多种逻辑电平驱动;
    • 栅极电荷(Qg):5.5nC @ 4.5V,保证快速切换速度,适合高频率应用。
  4. 封装与安装

    • 封装类型:采用 SOT-23-3 (TO-236) 表面贴装型,具有小尺寸和轻量化的优点,便于自动化生产和空间受限的设计。

应用领域:
由于其优异的性能,SI2302CDS-T1-E3 MOSFET 可广泛应用于以下几个领域:

  • 电源管理:作为开关元件在 DC-DC 转换器和电源开关电路中;
  • 马达驱动:用于直流电机和步进电机的驱动电路;
  • 电池供电设备:适合在移动设备和便携式电子产品中的电源切换;
  • 信号开关:在音频和视频信号处理中的开关控制。

结论:
SI2302CDS-T1-E3 是一款高效、可靠的小型 N 沟道 MOSFET,具备出色的电流承载和导通过性,同时在高温和高频率条件下仍能保持良好性能。凭借其优秀的参数特性和广泛的应用场景,该产品能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求,是电子工程师和设计师理想的选择。无论是在高效电源设计、马达控制还是其他开关应用中,SI2302CDS-T1-E3 都能提供出色的性能表现,是行业内值得信赖的元器件。