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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册
SI2305CDS-T1-GE3
商品编码: BM0000288265
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.054g
描述 : 
表面贴装型-P-通道-8V-5.8A(Tc)-960mW(Ta)-1.7W(Tc)-SOT-23-3(TO-236)
库存 :
61569(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.683
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.683
--
200+
¥0.441
--
1500+
¥0.383
--
产品参数
产品手册
常见问题
产品参数
漏源电压(Vdss)8V连续漏极电流(Id)(25°C 时)5.8A
栅源极阈值电压1V @ 250uA漏源导通电阻35mΩ @ 4.4A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)960mW类型P沟道
FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)8V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)35 毫欧 @ 4.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)30nC @ 8V
Vgs(最大值)±8V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)960pF @ 4V
FET 功能-功率耗散(最大值)960mW(Ta),1.7W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
产品手册
常见问题

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