类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 2.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 78mΩ@10V,3.2A |
功率(Pd) | 750mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 380pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SI2307BDS-T1-GE3 是一款高性能 P 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由著名电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产。该器件具有出色的电气特性,适用于各种应用场景,包括电源管理、开关电源和其他低功耗应用。以下是对该产品的详细介绍。
SI2307BDS-T1-GE3 采用 SOT-23-3(TO-236)封装。这种表面贴装型封装通常用于空间受限的应用中,能够有效节省电路板的空间。SOT-23-3 封装的设计还兼顾了从散热到电气性能的优化,使得这个器件在小体积的同时,亦能维持优秀的电气特性。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C (TJ),这使得 SI2307BDS-T1-GE3 适用在极端环境下的应用,例如汽车电子、工业控制和消费电子产品。无论是在低温或高温环境中,该器件均能稳定工作,确保系统的可靠性和安全性。
SI2307BDS-T1-GE3 可广泛应用于多种场景,包括但不限于:
整合了众多优秀特性,SI2307BDS-T1-GE3 是一款可靠、易于使用的 P 沟道 MOSFET,特别适合对性能和效率有严格要求的现代电子产品。凭借其广泛的应用领域和优越的电气特性,它将在未来的电子设计中发挥重要作用。对于电路设计师和工程师而言,选择 SI2307BDS-T1-GE3 是确保产品性能的明智之选。