SI2307BDS-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI2307BDS-T1-GE3

商品编码: BM0000288266
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.035g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 750mW 30V 2.5A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.363
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.363
--
3000+
¥0.339
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI2307BDS-T1-GE3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)2.5A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)78mΩ@10V,3.2A
功率(Pd)750mW阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)15nC@10V输入电容(Ciss@Vds)380pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

SI2307BDS-T1-GE3手册

SI2307BDS-T1-GE3概述

SI2307BDS-T1-GE3 产品概述

SI2307BDS-T1-GE3 是一款高性能 P 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由著名电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产。该器件具有出色的电气特性,适用于各种应用场景,包括电源管理、开关电源和其他低功耗应用。以下是对该产品的详细介绍。

1. 基础参数

  • 漏源电压(Vdss): 最大30V,这使得该器件适合于多种中低电压应用,能够满足常见电源模块和开关应用的要求。
  • 连续漏极电流(Id): 在25°C时,最大可达2.5A,这表明 SI2307BDS-T1-GE3 能够支持相对较高的电流负载,保证其在多种运行条件下稳定工作。
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 设定在3V @ 250µA,表明器件在较小的驱动电压下即可形成导通状态,增加了电路设计的灵活性。
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 在10V和3.2A条件下,最大导通电阻为78mΩ,意味着在导通状态下的能量损耗极小,适应高效率电路设计。
  • 最大功率耗散: 该器件在环境温度25°C时可承受750mW的功率消耗,适合需要热管理的功率应用。

2. 电气特性

  • 驱动电压: 支持高达10V的栅极驱动电压,这确保了在各种工作条件下均能保持令人满意的开关性能。
  • 栅极电荷(Qg): 最大值为15nC @ 10V,使得该器件在高频开关情况下仍能保持较低的驱动功耗,适应快速切换需求。
  • 输入电容(Ciss): 最大380pF @ 15V,较小的输入电容使得该器件在相应频率下具备良好的响应能力。

3. 结构与封装

SI2307BDS-T1-GE3 采用 SOT-23-3(TO-236)封装。这种表面贴装型封装通常用于空间受限的应用中,能够有效节省电路板的空间。SOT-23-3 封装的设计还兼顾了从散热到电气性能的优化,使得这个器件在小体积的同时,亦能维持优秀的电气特性。

4. 工作环境

该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C (TJ),这使得 SI2307BDS-T1-GE3 适用在极端环境下的应用,例如汽车电子、工业控制和消费电子产品。无论是在低温或高温环境中,该器件均能稳定工作,确保系统的可靠性和安全性。

5. 应用范围

SI2307BDS-T1-GE3 可广泛应用于多种场景,包括但不限于:

  • 电源管理电路:适合用于开关电源的输入和输出阶段。
  • 负载开关:适合用于控制负载的开关装置。
  • 电池供电设备:优化小型电子设备中的电源开关。
  • 工业设备:在电动机控制、传感器和执行器中用于开关控制。

6. 总结

整合了众多优秀特性,SI2307BDS-T1-GE3 是一款可靠、易于使用的 P 沟道 MOSFET,特别适合对性能和效率有严格要求的现代电子产品。凭借其广泛的应用领域和优越的电气特性,它将在未来的电子设计中发挥重要作用。对于电路设计师和工程师而言,选择 SI2307BDS-T1-GE3 是确保产品性能的明智之选。