类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 2.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V,3.4A |
功率(Pd) | 700mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 800mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 7nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 215pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SI2316DS-T1-E3是一款高性能的N沟道MOSFET,采用SOT-23-3封装,专为低功耗应用而设计。其具有优异的漏源电压(Vdss)特性,最大可达30V。该MOSFET的连续漏极电流(Id)在25°C环境条件下为2.9A,能够满足各种电子电路对高电流输出的需求。同时,其最大功率耗散为700mW,使其在多种应用场景中表现出色。
SI2316DS-T1-E3广泛应用于各种电子产品中,尤其是在以下领域表现突出:
SI2316DS-T1-E3采用SOT-23-3(TO-236)封装设计,体积小、便于表面贴装,适合现代电子设备追求的小型化与高集成度需求。这种封装不仅简化了生产流程,还确保了更高的可靠性与稳定性。
SI2316DS-T1-E3由知名电子元器件供应商VISHAY(威世)出品,确保了产品的高质量与稳定性。选用该MOSFET不仅能提升电子设计的性能,同时也方便工程师进行设计与调试。
SI2316DS-T1-E3 N沟道MOSFET是一款高效、多用途的电子元器件,凭借其杰出的电气特性和广泛的应用适应性,成为现代电子设计中不可或缺的关键元件。无论是在消费电子、汽车电子还是工业应用领域,SI2316DS-T1-E3均展现出色的性能,助力工程师打造出更高效、更智能的电子设备。