SI2323DS-T1-E3
SI2323DS-T1-E3参数
| 类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 39mΩ@4.5V,4.7A |
| 功率(Pd) | 750mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 19nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.02nF@10V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SI2323DS-T1-E3手册
SI2323DS-T1-E3概述
SI2323DS-T1-E3 产品概述
SI2323DS-T1-E3是VISHAY（威世）公司推出的一款高性能P沟道MOSFET（场效应晶体管），其全面的电气特性和可靠的性能使其适用于多种电子电路应用。该器件的关键参数包括漏源电压（Vdss）为20V，最大连续漏极电流（Id）为3.7A，并且具备较低的漏源导通电阻（Rds(on)），在高达4.7A和4.5V的条件下，Rds(on)为39mΩ。其设计使得SI2323DS-T1-E3能够在高频和高效率的工作环境中发挥优良的性能。
核心特性
漏源电压与电流: SI2323DS-T1-E3的漏源电压最大为20V，适合用于低电压的电源管理和驱动应用。最大连续漏极电流为3.7A，在大多数情况下，满足了绝大部分负载的要求。
导通电阻: 该MOSFET在4.7A的条件下，导通电阻为39mΩ，标志着其在低功耗和热管理方面的优越性能。低Rds(on)意味着在工作时产生的热量较低，从而提高了整体系统的效率。
阈值电压与驱动电压: 栅源极阈值电压为1V @ 250µA，确保了MOSFET即使在较低的栅电压下也能迅速开通，优化了开关特性。此外，最大驱动电压（Vgs）为±8V，给予设计师更大的灵活性，以配合不同类型的驱动电路。
工作温度范围: SI2323DS-T1-E3的工作温度范围极广，从-55°C到150°C，意味着它可以在极端环境中稳定工作，适合航空航天、汽车和其他需要高可靠性的应用场合。
安装与封装: 该产品采用SOT-23-3（TO-236）表面贴装封装，具有较小的尺寸和轻薄的特性，适合现代电子设备的紧凑设计。小型封装使其易于集成到复杂电路板上，同时也有助于降低生产和组装成本。
应用场景
SI2323DS-T1-E3被广泛应用于各种电子应用中，特别是在需要高效开关的电源管理、负载驱动、电机控制及其他需要高频率切换的场合。以下是几个具体的应用示例：
开关电源: 在DC-DC转换器和电池管理系统中，SI2323DS-T1-E3可作为主要开关功率元件，帮助提高整体转换效率。
负载开关: 由于其较低的Rds(on)和高持续电流能力，SI2323DS-T1-E3非常适合用于负载开关应用中，用于精确控制电流的开启和关闭。
信号处理电路: 其快速的开关速度和低栅电荷特性保证了在信号处理环节中，能够以最小的延迟传交信号。
电机驱动: 在小型电机驱动电路中，SI2323DS-T1-E3可有效控制电机的启停和速度调节，提高了控制精度和系统性能。
总结
SI2323DS-T1-E3是一款高性能的P沟道MOSFET，凭借其良好的电气性能和宽广的工作温度范围，能够满足现代电子设备对高效能和高可靠性的严格要求。作为表面贴装封装的器件，其适用范围包括但不限于开关电源、负载开关及电机驱动等应用，体现了VISHAY在MOSFET技术领域的卓越实力和创新能力。无论是在嵌入式系统还是便携式设备中，SI2323DS-T1-E3都将是设计师们理想的选择。