SI2369DS-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI2369DS-T1-GE3

商品编码: BM0000288272
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-236
包装 : 
编带
重量 : 
0.035g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.25W;2.5W 30V 7.6A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
30231(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.99
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.99
--
3000+
¥0.938
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI2369DS-T1-GE3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.4A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)29mΩ@10V,5.4A
功率(Pd)1.6W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)11.4nC@15V输入电容(Ciss@Vds)1.295nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)130pF@15V工作温度-55℃~+150℃

SI2369DS-T1-GE3手册

SI2369DS-T1-GE3概述

SI2369DS-T1-GE3 产品概述

一、产品基本概要

SI2369DS-T1-GE3是一款高性能的P沟道MOSFET,专门设计用于各种低电压和高电流应用场景。它的最大漏源电压为30V,能够承载的连续漏极电流达到7.6A,使其在多种电子电路中具有广泛的适用性。这个器件采用了先进的MOSFET技术,结合了优越的导通性能和高效的功率耗散能力。

二、主要规格及参数

  1. 漏源电压(Vdss)

    • 最大值:30V
    • 该参数确保MOSFET能够在高达30V的电压下正常工作,适合用于低至中等电压电子设备。
  2. 连续漏极电流(Id)

    • 在25°C时,最大连续漏极电流为7.6A,这使得SI2369DS-T1-GE3适合于驱动各种负载,尤其在高电流需求的场合表现优异。
  3. 栅源极阈值电压

    • Vgs(th)最大值为2.5V @ 250µA,这意味着在较低电压下就能启动器件,增强了电路设计的灵活性。
  4. 漏源导通电阻(Rds(on))

    • 在5.4A和10V的条件下,Rds(on)为29mΩ,极低的导通电阻显著降低了传导损耗,提升了整体能效。
  5. 功率耗散能力

    • 在环境温度25°C时,最大功率耗散为1.25W,而在结温情况下(Tc)可达到2.5W,具有较强的热管理能力。
  6. 工作温度范围

    • 器件的工作温度范围广泛,从-55°C到150°C,这使得SI2369DS-T1-GE3能够在各种严酷环境条件下稳定工作。
  7. 封装类型

    • 该MOSFET采用TO-236封装(也称为SOT-23),这种小型化表面贴装封装适合现代紧凑型电路设计,提升了PCB空间使用效率。

三、应用领域

SI2369DS-T1-GE3广泛应用于多个领域,主要包括:

  • 电源管理:用于开关电源、DC-DC变换器的高效开关控制,提供良好的能量转换效率。
  • 驱动电路:能够驱动电机、继电器和灯光等设备,适合于自动化与机器人系统。
  • 音响设备:用于音频放大器和相关音响电子产品,以实现高效能与低噪声操作。
  • 家用电器:如风扇、空调和其他家电的控制电路,确保设备的高效运行。
  • 电动汽车:在电动车的控制系统中,使用SI2369DS-T1-GE3进行高效电机驱动和能量管理。

四、产品优势

  1. 高效能:极低的导通电阻和优秀的功率耗散能力,使该器件在高负载应用中效率显著提升,减少了热量的生成。
  2. 宽广的工作温度范围:能够适应多种环境条件,提升了客户的设计灵活性,适合严苛工作条件。
  3. 小型封装:TO-236封装减少了PCB占用面积,同时便于自动化生产线的处理,提高了生产效率。

五、总结

SI2369DS-T1-GE3是一款功能强大、性能卓越的P沟道MOSFET,凭借其显著的电气性能和广泛的应用前景,成为很多电子设计师和工程师的优选产品。无论是用于简单的开关控制,还是复杂的电源管理和电动机驱动,SI2369DS-T1-GE3均能提供领先的解决方案,是诸多电子产品中不可或缺的重要组件。