类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 5.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 29mΩ@10V,5.4A |
功率(Pd) | 1.6W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 11.4nC@15V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.295nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 130pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI2369DS-T1-GE3是一款高性能的P沟道MOSFET,专门设计用于各种低电压和高电流应用场景。它的最大漏源电压为30V,能够承载的连续漏极电流达到7.6A,使其在多种电子电路中具有广泛的适用性。这个器件采用了先进的MOSFET技术,结合了优越的导通性能和高效的功率耗散能力。
漏源电压(Vdss):
连续漏极电流(Id):
栅源极阈值电压:
漏源导通电阻(Rds(on)):
功率耗散能力:
工作温度范围:
封装类型:
SI2369DS-T1-GE3广泛应用于多个领域,主要包括:
SI2369DS-T1-GE3是一款功能强大、性能卓越的P沟道MOSFET,凭借其显著的电气性能和广泛的应用前景,成为很多电子设计师和工程师的优选产品。无论是用于简单的开关控制,还是复杂的电源管理和电动机驱动,SI2369DS-T1-GE3均能提供领先的解决方案,是诸多电子产品中不可或缺的重要组件。