SI3457CDV-T1-E3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI3457CDV-T1-E3

商品编码: BM0000288275
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TSOP-6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
表面贴装型-P-通道-30V-5.1A(Tc)-3W(Tc)-6-TSOP
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
12+
数量 :
X
0.363
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.363
--
3000+
¥0.339
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI3457CDV-T1-E3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.1A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)74mΩ@10V,4.1A
功率(Pd)2W阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)5.1nC@10V输入电容(Ciss@Vds)450pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)10pF@15V工作温度-55℃~+150℃

SI3457CDV-T1-E3手册

SI3457CDV-T1-E3概述

SI3457CDV-T1-E3 产品概述

一、产品简介

SI3457CDV-T1-E3 是一款由威世(Vishay)出品的高性能 P 通道 MOSFET,采用 SOT-23-6 和 TSOT-23-6 封装。这款器件专为低电压、高电流应用设计,适用于各种电子设备的电源管理和开关控制。其优越的导通性能和耐高温特性使其在众多市场中获得了广泛应用。

二、关键参数

  1. 封装类型:SI3457CDV-T1-E3 采用表面贴装(SMT)设计,其封装形式为 SOT-23-6 细型或 TSOP-6,这使得其在空间受限的应用中更具灵活性。
  2. FET 类型:本器件属于 P 通道 MOSFET,适合负载开关及负电压控制应用。
  3. 漏源极电压(Vdss):最大漏源极电压为 30V,适用于中等电压的应用场景。
  4. 连续漏极电流(Id):在 25°C 时,该器件能够持续提供最高 5.1A 的电流(温度载荷条件下)。
  5. 栅源电压(Vgss):栅源电压最大值为 ±20V,使其在设计灵活性上具备较强的适应性。

三、导通特性

  • 导通电阻(Rds(on)):在 Vgs 为 10V 的情况下,SI3457CDV-T1-E3 的最大 Rds(on) 为 74 毫欧,在 4.1A 时(10V 条件下)表现出优异的导通性能,较低的导通电阻有助于减少功率损耗,提高效率。
  • 门电荷(Qg):在 10V 的驱动电压下,器件的栅极电荷为最大值 15nC,这对于快速开关应用特别重要,短暂的开关时间能够显著减少导通损耗。

四、开关性能与应用

I/O 设备和电源管理电路中,MOSFET 是进行负载开关控制的重要组成部分。SI3457CDV-T1-E3 的设计特别关注开启和关闭状态的迅速切换,能够有效改善电源的动态响应。在电流密度较大的情况下,它依然保持较低的工作温度,增加了电路的稳定性和可靠性。

该 MOSFET 在以下应用领域表现突出:

  • 电源管理:在开关电源和线性稳压器中用于高效的电压转换。
  • 负载控制:可用于 DC-DC 转换器和马达驱动电路的负载开关。
  • 汽车电子:在现代汽车电子系统中提供电源调节和负载控制功能。
  • 消费电子:如智能家居设备、音频放大器与 LED 驱动电路。

五、工作温度与功率耗散

该器件的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,确保在极端环境下稳定工作,适应各类严苛环境的要求。此外,最大功率耗散可达 3W(直流负载条件下),提升系统的整体运行可靠性。

六、总结

SI3457CDV-T1-E3 是一款设计优良的 P 通道 MOSFET,其高电流承载能力和低导通电阻使其成为多种电子应用的理想选择。凭借其卓越的性能与可靠性,该器件能够完美适应现代电子设计的需求,并在满足功率效率的同时,有效控制热管理,确保电子产品的稳定性与安全性。对设计师而言,SI3457CDV-T1-E3 提供了一个可靠的解决方案,以实现高效和节能的电源管理,助力其在激烈的市场竞争中脱颖而出。