类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 5.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 74mΩ@10V,4.1A |
功率(Pd) | 2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.1nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 450pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 10pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI3457CDV-T1-E3 是一款由威世(Vishay)出品的高性能 P 通道 MOSFET,采用 SOT-23-6 和 TSOT-23-6 封装。这款器件专为低电压、高电流应用设计,适用于各种电子设备的电源管理和开关控制。其优越的导通性能和耐高温特性使其在众多市场中获得了广泛应用。
I/O 设备和电源管理电路中,MOSFET 是进行负载开关控制的重要组成部分。SI3457CDV-T1-E3 的设计特别关注开启和关闭状态的迅速切换,能够有效改善电源的动态响应。在电流密度较大的情况下,它依然保持较低的工作温度,增加了电路的稳定性和可靠性。
该 MOSFET 在以下应用领域表现突出:
该器件的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,确保在极端环境下稳定工作,适应各类严苛环境的要求。此外,最大功率耗散可达 3W(直流负载条件下),提升系统的整体运行可靠性。
SI3457CDV-T1-E3 是一款设计优良的 P 通道 MOSFET,其高电流承载能力和低导通电阻使其成为多种电子应用的理想选择。凭借其卓越的性能与可靠性,该器件能够完美适应现代电子设计的需求,并在满足功率效率的同时,有效控制热管理,确保电子产品的稳定性与安全性。对设计师而言,SI3457CDV-T1-E3 提供了一个可靠的解决方案,以实现高效和节能的电源管理,助力其在激烈的市场竞争中脱颖而出。