类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 3.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 72mΩ@15V,4.5A |
功率(Pd) | 1.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 14nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 805pF@20V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SI4447DY-T1-E3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,由威世(VISHAY)公司制造,专为各种电子应用而设计。其具备高效率的电流控制,广泛应用于电源管理、开关,以及负载驱动等领域。该器件采用表面贴装型(SMT)封装,极大地提升了设备的整体集成度和生产自动化水平。
漏源电压(Vdss): 该 MOSFET 的最大漏源电压为 40V,能够承受较高的电压应力,适合高电压的电子设备应用。
连续漏极电流(Id): 在 25°C 环境温度下,SI4447DY 的最大连续漏极电流为 3.3A,能够满足大部分功率需求的应用场景。
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 在 250µA 电流条件下,其栅源极阈值电压为 2.2V,使得在中低电压条件下能够有效地打开或关闭 MOSFET。
漏源导通电阻(Rds(on)): 在 4.5A 和 15V 条件下,Rds(on) 为 72mΩ,这一低电阻值在导通状态下意味着极低的功率损耗,有助于提升系统的能效。
功率耗散(Pd): 该器件的最大功率耗散能力为 1.1W(在环境温度 25°C 下),提供了良好的热管理性能。
工作温度范围: SI4447DY 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,适应于各种极端环境下的应用需求,极大地增强了产品的可靠性。
栅极电荷(Qg): 在 4.5V 驱动电压条件下,栅极电荷最大值为 14nC,具有良好的开关速度,适合高频开关应用。
输入电容(Ciss): 该产品在 20V 条件下的输入电容最大值为 805pF,低输入电容值有助于提高开关效率和减少开关损失。
封装类型: SI4447DY 采用 8-SOIC 封装,便于自动化生产和安装,同时也能有效节省电路板空间。
SI4447DY-T1-E3 MOSFET 可广泛应用于多种电子设备中,主要包括但不限于:
SI4447DY-T1-E3 是一款兼具高效性能与可靠性的 P 通道 MOSFET,凭借其低导通电阻和广泛的工作温度范围,使其在高性能、节能电路设计中具有很大的优势。适合多种工业及家用电子设备,为设计工程师提供了灵活的电路解决方案。随着对高效能和更多功能集成的需求增加,SI4447DY 预计将在未来的电子应用中扮演重要角色。