SI4455DY-T1-E3
SI4455DY-T1-E3参数
| FET 类型 | P 通道 | 漏源电压（Vdss） | 150V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A（Tc） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 42nC @ 10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 295 毫欧 @ 4A，10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），5.9W（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1190pF @ 50V |
SI4455DY-T1-E3手册
SI4455DY-T1-E3概述
SI4455DY-T1-E3 产品概述
产品简介： SI4455DY-T1-E3 是一款来自 VISHAY（威世）的 P 型沟道场效应管（MOSFET），具有出色的性能和广泛的应用场景。该器件在电源管理、开关电源、直流-直流转换器及其他高效能电路中表现优异，其规格参数使其成为各种高电压及中等电流应用中的理想选择。
主要特点：
高电压与电流特性： SI4455DY-T1-E3 的漏源电压（Vdss）最大可达 150V，适合需要高耐压的电路设计。同时，其 25°C 下的连续漏极电流（Id）为 2.8A，这使得该器件能够高效处理大电流应用。
出色的导通电阻： 在不同 Id、Vgs 条件下，导通电阻（Rds On）最大值为 295毫欧（@ 4A，10V），这表明该 MOSFET 在开启状态下具有较低的能量损耗，有助于提升系统的整体效率，尤其在高频或高功率应用中意义重大。
较高的功率耗散能力： 该器件的最大功率耗散可达到 3.1W（在环境温度 Ta 下）和 5.9W（在管壳温度 Tc 下），这意味着它能够在较高的环境温度下保持良好的工作稳定性，适合于严苛的工作环境。
广泛的工作温度范围： SI4455DY-T1-E3 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保了在极端温度条件下的可靠性，适合航空航天、汽车和工业应用。
合理的栅极控制： 不同 Vgs 条件下，栅源电压（Vgs）的最大值为±20V，且在 250µA 时的栅阈值电压（Vgs(th)）最大为 4V，保证了在各种驱动电压下的良好开关性能。
低栅电荷特性： 在不同 Vgs 条件下，栅电荷（Qg）最大值为 42nC （@ 10V），这意味着在开关操作时所需的驱动功率相对较低，有利于提高开关频率，从而提高电源管理系统或其他电路的性能。
优良的输入电容： 不同 Vds 条件下的输入电容（Ciss）最大值为 1190pF（@ 50V），确保了在高频切换时的低延迟和高效率，增强了其在高频应用中的适用性。
封装与应用： 该 MOSFET 采用 8-SO 封装，适合表面贴装，能够很好地满足现代电子产品对小型化和高密度集成的需求。SI4455DY-T1-E3 可广泛应用于各种电源管理、电动机驱动、启停控制、LED 驱动器及其他需要高效率切换的场合，特别是在电动车、通信设备及消费电子产品中表现突出。
总结： 作为 VISHAY（威世）推出的一款高性能 P 型通道 MOSFET，SI4455DY-T1-E3 集高耐压、低导通电阻及广泛的工作温度等核心特点于一身，为设计工程师提供了一个理想的选择，助力实现各种电源系统的高效率与多功能需求。在选择电源管理和开关电源解决方案时，该器件值得推荐。