SI4564DY-T1-GE3

产品概述：SI4564DY-T1-GE3 MOSFET

一、产品简介

SI4564DY-T1-GE3 是一款高性能的表面贴装型金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由威世（VISHAY）公司制造。该器件采用8-SO封装，特别设计用于要求降低导通损耗和提高工作效率的各种电子应用场景。它集成了一个 N 沟道和一个 P 沟道的场效应管，使其在单一器件中具备双极性特性，适合于各种电源管理和开关应用。

二、技术参数

• 安装类型：表面贴装型
• 封装类型：8-SO
• 导通电阻 (Rds(on))：在 25°C 时，最大值为 17.5 毫欧（@ 8A，10V）
• 漏极电流 (Id)：在不同的温度下，N 沟道可达 10A（极限为 9.2A）
• 漏源电压 (Vdss)：最大 40V，适合中高压应用
• 输入电容 (Ciss)：855pF（@ 20V），可有效提高开关速度
• 栅极电荷 (Qg)：最大值为 31nC（@ 10V），确保快速响应
• 温度范围：工作温度为 -55°C 到 150°C，广泛适用于各种严苛环境
• 功率最大值：3.1W（N 沟道），3.2W（P 沟道）
• 栅源阈值电压 (Vgs(th))：最大值为 2V（@ 250µA），适合逻辑电平控制

三、应用领域

SI4564DY-T1-GE3 MOSFET 的特性使其广泛应用于以下领域：

1. 电源管理：作为 DC-DC 转换器、线性稳压器及开关电源中的关键元件，提供高效的电源转换。
2. 电机驱动：在电机控制电路中实现高效驱动，降低热损耗。
3. 信号调理：用于放大和切换信号的电子设备，如放大器和开关电路。
4. 汽车电子：符合汽车行业标准，非常适合用于电源开关、高速开关和 LED 驱动电路。
5. 消费电子：在手机、平板以及其他便携设备中，用于电源管理和信号调节。

四、性能优势

1. 低导通电阻：极低的导通电阻特性能够显著减少待机功耗，提高系统效率。
2. 高开关速度：其低输入电容及小栅极电荷使得开关速度更快，适用于高速应用。
3. 双极性特性：集成的 N 沟道与 P 沟道 MOSFET 提供了灵活性，减少了设计中的复杂性和元件数量。
4. 宽温工作范围：适应严苛的工作环境，确保设备在高温和低温环境下正常运行。

五、总结

SI4564DY-T1-GE3 是集成化高效能的 MOSFET，其出色的电气参数和广泛的应用范围使其成为现代电子设计的重要选择。无论是在高效电源管理、信号调理还是汽车电子设备中，这款器件都能提供可靠的性能和灵活的设计选项。凭借威世供应的优秀品质和技术支持，SI4564DY-T1-GE3 无疑是许多电子应用的理想解决方案。