SI4848DY-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI4848DY-T1-GE3

商品编码: BM0000288284
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
8-SO
包装 : 
编带
重量 : 
0.256g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.5W 150V 2.7A 1个N沟道 SO-8
库存 :
28294(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.93
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.93
--
2500+
¥1.84
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI4848DY-T1-GE3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)3.7A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)85mΩ@10V,3.5A
功率(Pd)3W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)21nC@10V输入电容(Ciss@Vds)17pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)6pF@10V工作温度-55℃~+150℃

SI4848DY-T1-GE3手册

SI4848DY-T1-GE3概述

SI4848DY-T1-GE3 产品概述

概述

SI4848DY-T1-GE3 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用表面贴装(SMD)封装,并依据现代电子设备的需求,提供出色的电性能和可靠性。该器件由知名品牌 VISHAY(威世)制造,适用于多种应用场景,包括电源管理、开关电路和功率放大器等。

主要参数

  • 类型: N 沟道 MOSFET
  • 安装方式: 表面贴装型 (SMD)
  • 封装: 8-SO (Small Outline)
  • 最大漏源电压(Vdss): 150V
  • 连续漏极电流(Id): 2.7A (在 25°C 的环境温度下)
  • 最大功率耗散: 1.5W (在 25°C 的环境温度下)
  • 导通电阻(Rds On): 最大 85 毫欧 @ 3.5A,10V
  • 栅极驱动电压(Vgs): 6V(最小 Rds On)至 10V(最大 Rds On)
  • 栅极电荷(Qg): 最大 21nC @ 10V
  • 閘源电压(Vgs): ±20V(最大值)
  • Vgs(th)(阈值电压): 最大 2V @ 250µA(最小)

工作温度

SI4848DY-T1-GE3 的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C,这使得该元件在极端环境下也能保持良好的性能,适合用于航空航天、汽车电子以及工业控制等应用领域。

性能与应用

SI4848DY-T1-GE3 的设计使其具备优异的热管理特性和较低的导通电阻,使其在高频及高效的电源转换应用中表现出色。其最大 150V 的漏源电压,使其可以在较高电压的操作环境中使用,适合各种电源电路。

在电源管理方面,该MOSFET可以用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电池管理系统中,通过高效的开关能力来降低能量损失,从而提升整体能源效率。由于其较低的 Rds On,SI4848DY-T1-GE3 在为负载供电时可以有效降低发热,进一步提升设计的可靠性和稳定性。

设计优势

  1. 高效率: Rds On 值低的特点使得 MOSFET 在开关时损耗少,从而提高了能源利用率。
  2. 广泛的工作温度: 可适应多种苛刻环境,确保长期稳定运行。
  3. 小型化设计: SO-8 封装为设计提供了优越的空间利用率,为小型电子组件的设计提供了灵活性。

结论

SI4848DY-T1-GE3 MOSFET 是一款极具竞争力的高性能电子元器件,适用于需要高电压和电流处理能力的多种电子应用。无论是用于开关电源、工业应用还是消费电子,SI4848DY-T1-GE3 都能提供卓越的性能和可靠性。凭借来自 VISHAY 的品质保证和技术支持,这款 MOSFET 将为您的电子设计提供强大动力,实现更高效、更安全的电源解决方案。