SI7465DP-T1-GE3
SI7465DP-T1-GE3参数
| 类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 64mΩ@10V,5A |
| 功率(Pd) | 3.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 26nC@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI7465DP-T1-GE3手册
SI7465DP-T1-GE3概述
产品概述：SI7465DP-T1-GE3
一、产品介绍 SI7465DP-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世电子）公司生产的高性能 P 通道 MOSFET，具有出色的电气特性和可靠的工作性能。它特别适用于面向高效能、低功耗和高温环境的电子应用。此款 MOSFET 采用 PowerPAK® SO-8 封装，便于表面贴装，适合现代电子设备的紧凑设计。
二、技术参数
安装类型：SI7465DP-T1-GE3 是一种表面贴装型 MOSFET，能够在狭小的电路板空间中提供高效能。
导通电阻：在 5A、10V 条件下，该器件的最大导通电阻（Rds On）为 64 毫欧。这一低导通电阻使其在导通状态下具有更低的功率损耗，提升系统效率。
驱动电压范围：该 MOSFET 在 4.5V 至 10V 的驱动电压下可获得最佳的 Rds On，满足用户在不同电压条件下的应用需求。
连续漏极电流：在额定温度 25°C 下，SI7465DP-T1-GE3 的连续漏极电流（Id）可达 3.2A，能够满足大部分中等功率的电子设备需求。
漏源电压：该器件的漏源电压（Vdss）最大可承受 60V，适用于多种高压应用场合。
功率耗散：在环境温度下，该 MOSFET 的功率耗散能力为 1.5W，确保其在高负荷工作情况下的稳定性和可靠性。
工作温度范围：SI7465DP-T1-GE3 的工作温度范围从 -55°C 至 150°C，使得它可以在严苛的温度环境中保持良好的性能表现。
栅极电荷：在 10V 的栅源电压下，其最大栅极电荷（Qg）为 40nC，有利于减少驱动电源的功耗，并提高开关速度。
阈值电压：在不同的漏极电流（Id）条件下，Vgs(th) 的最大值为 3V @ 250µA。这一参数确保了 MOSFET 能够在一定的栅源电压下快速导通，为设计提供了灵活性。
三、应用领域 SI7465DP-T1-GE3 广泛应用于多种电子领域，包括但不限于：
- 电源管理：用于智能手机、笔记本电脑及其他便携设备的电源管理电路中，实现高效的功率控制。
- 电机驱动：在电机驱动和控制模块中作为开关器件，提供可靠的电流导通和关断特性。
- 负载开关：在消费类电子和工业设备中用作负载开关，实现对负载的高效控制。
- 自动车辆及可再生能源：在汽车电子和太阳能逆变器系统中进行功率转换和管理。
四、总结 SI7465DP-T1-GE3 结合了高效的电气特性与坚固的结构设计，适用于高要求的电子应用领域。凭借其优秀的工作温度范围、适中的功率耗散，以及低导通电阻等优势，使其成为设计现代电子产品时的理想选择。VISHAY（威世电子）作为知名的电子元器件制造商确定了其在市场中的竞争力，使其产品在业内广受欢迎。无论是高效电源管理、可靠的负载开关还是电机控制，SI7465DP-T1-GE3 都能为设计师提供所需的灵活性和稳定性。