类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 8.9A;39.6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 31.9mΩ@10A,10V |
功率(Pd) | 125W;6.25W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 38nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.38nF@100V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
产品名称: SIDR610DP-T1-GE3
品牌: VISHAY (威世)
类型: N沟道 MOSFET
封装: PowerPAK® SO-8DC
SIDR610DP-T1-GE3 是一种高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),专为高电压和高电流应用而设计。凭借其出色的导通电阻、电流承载能力以及极广的工作温度范围,该产品在市场上具有广泛的应用前景。特别适合用于电力转换、开关电源和电机驱动等领域。
SIDR610DP-T1-GE3 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适用于极端环境条件下的应用。这种广泛的温度适用性确保了其在航空航天、汽车、工业控制等场合的应用能力。
电压驱动范围方面,Vgs 的最大值为 ±20V,而驱动电压在最小 Rds(on) 为 7.5V,最大则为 10V,有助于提高系统的灵活性和兼容性。
其栅极电荷 (Qg) 最大值为 38nC @ 10V,能够满足快速开关操作的要求,进一步提升开关频率和系统响应能力。
SIDR610DP-T1-GE3 设计用于各种要求苛刻的电力电子应用场合,包括:
SIDR610DP-T1-GE3 是一款具有极高可靠性和有效能的 N 沟道 MOSFET,凭借其卓越的电气性能和广泛的应用适用性,使其成为电力电子设备发展的重要推动力。其优秀的导通性能和高电流承载能力,确保用户能够在各种应用场景中获得理想的电气性能。选择 SIDR610DP-T1-GE3,将是追求高效、可靠和经济解决方案的理想选择。