SIRA06DP-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SIRA06DP-T1-GE3

商品编码: BM0000288300
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 5W;62.5W 30V 40A 1个N沟道 PowerPAK-SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.66
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.66
--
3000+
¥1.58
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SIRA06DP-T1-GE3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)40A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.5mΩ@15A,10V
功率(Pd)5W;62.5W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)77nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3.595nF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

SIRA06DP-T1-GE3手册

SIRA06DP-T1-GE3概述

SIRA06DP-T1-GE3 产品概述

SIRA06DP-T1-GE3是一款由威世(VISHAY)公司生产的高性能N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计旨在满足现代电子电路中对高电流和低导通电阻的需求。此MOSFET采用了创新的PowerPAK® SO-8封装,为表面贴装(SMT)应用提供了紧凑的解决方案,并在降温性能和散热管理方面展现出优越的特性。

主要特性

  1. 高漏源极电压:SIRA06DP-T1-GE3具有30V的漏源极电压(Vdss),适合用于中等电压的功率管理和开关应用。

  2. 高电流处理能力:在25°C的环境温度下,这款MOSFET能够连续承载高达40A的漏电流(Id),适用于高功率电路设计。

  3. 低导通电阻:该产品在10V栅源电压(Vgs)和15A漏电流下,其导通电阻(Rds(on))最大为2.5毫欧。这意味着在工作时能有效减少能量损耗,提高电源效率。

  4. 广泛的栅源电压范围:SIRA06DP-T1-GE3的栅源电压范围为+20V至-16V,提供了灵活的驱动选项,适合多种电路设计需求。

  5. 高工作温度范围:该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C,适用于恶劣环境条件下的应用,确保设备在高温和低温条件下的可靠性。

电气特性

  • 输入电容:在15V的条件下,输入电容(Ciss)最大为3595pF,能够在高频应用中提供优良的开关性能。
  • 栅极电荷:在10V Vgs下,最大栅极电荷(Qg)为77nC,意味着在高频开关操作时可实现快速响应。
  • 开启电压阈值(Vgs(th)):在250µA电流下,Vgs(th)的最大值为2.2V,可以有效地提供基于逻辑水平的控制。

应用场景

由于其优越的电气特性,SIRA06DP-T1-GE3广泛应用于各个领域,包括但不限于:

  • 电源管理:在开关电源和DC-DC转换器中作为开关管使用,确保高效的电能转换。
  • 电机驱动:在直流电机和步进电机的驱动电路中,提供快速开关和高电流能力。
  • LED驱动:可用于高效的LED驱动电路中,实现精确的电流控制和长寿命。
  • 汽车电子:在汽车电气系统中用于功率控制和开关操作,符合汽车工业的严格要求。

散热性能

在功率耗散方面,SIRA06DP-T1-GE3在环境温度下的最大功率耗散为5W,而在晶体管结温下可达62.5W。这使得它在高功率应用中具备优良的散热特性,用户可利用合适的散热措施以进一步提升设备的总体性能和稳定性。

总结

SIRA06DP-T1-GE3是一款高性能的N沟道MOSFET,结合了卓越的电气特性和可靠的工作性能,非常适合用于需要高电流和低导通电阻的各种电子应用。凭借其宽广的工作温度范围和优越的电源效率,成为当今电子电路设计中不可或缺的关键元件。无论是电源管理还是电机驱动,该器件都能为工程师提供灵活且高效的解决方案。选择SIRA06DP-T1-GE3,正是选择了一种优质、可靠并且具有广泛适用性的电子元件。