类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 40A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5mΩ@15A,10V |
功率(Pd) | 5W;62.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 77nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.595nF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SIRA06DP-T1-GE3 产品概述
SIRA06DP-T1-GE3是一款由威世(VISHAY)公司生产的高性能N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计旨在满足现代电子电路中对高电流和低导通电阻的需求。此MOSFET采用了创新的PowerPAK® SO-8封装,为表面贴装(SMT)应用提供了紧凑的解决方案,并在降温性能和散热管理方面展现出优越的特性。
高漏源极电压:SIRA06DP-T1-GE3具有30V的漏源极电压(Vdss),适合用于中等电压的功率管理和开关应用。
高电流处理能力:在25°C的环境温度下,这款MOSFET能够连续承载高达40A的漏电流(Id),适用于高功率电路设计。
低导通电阻:该产品在10V栅源电压(Vgs)和15A漏电流下,其导通电阻(Rds(on))最大为2.5毫欧。这意味着在工作时能有效减少能量损耗,提高电源效率。
广泛的栅源电压范围:SIRA06DP-T1-GE3的栅源电压范围为+20V至-16V,提供了灵活的驱动选项,适合多种电路设计需求。
高工作温度范围:该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C,适用于恶劣环境条件下的应用,确保设备在高温和低温条件下的可靠性。
由于其优越的电气特性,SIRA06DP-T1-GE3广泛应用于各个领域,包括但不限于:
在功率耗散方面,SIRA06DP-T1-GE3在环境温度下的最大功率耗散为5W,而在晶体管结温下可达62.5W。这使得它在高功率应用中具备优良的散热特性,用户可利用合适的散热措施以进一步提升设备的总体性能和稳定性。
SIRA06DP-T1-GE3是一款高性能的N沟道MOSFET,结合了卓越的电气特性和可靠的工作性能,非常适合用于需要高电流和低导通电阻的各种电子应用。凭借其宽广的工作温度范围和优越的电源效率,成为当今电子电路设计中不可或缺的关键元件。无论是电源管理还是电机驱动,该器件都能为工程师提供灵活且高效的解决方案。选择SIRA06DP-T1-GE3,正是选择了一种优质、可靠并且具有广泛适用性的电子元件。