类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 14.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.4mΩ@10V,15A |
功率(Pd) | 3.7W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 35.4nC@15V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.28nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 73pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SIS413DN-T1-GE3是一款高性能的P沟道功率MOSFET,型号由知名电子元器件制造商VISHAY(威世)提供,专为要求高效能和高可靠性的电子设备设计。该产品以其优越的电气特性和广泛的工作温度范围而备受青睐,适用于各种功率开关和线性应用场合。
SIS413DN-T1-GE3的设计中考虑了许多关键因素,以确保其在高负载条件下的稳定性与效率。产品采用PowerPAK® 1212-8封装,显著降低了电路设计的占板面积,同时为散热提供了更佳的性能。这种封装还使得器件更易于表面贴装,提高了生产效率和可靠性。
在电气特性方面,该MOSFET提供的低漏源导通电阻(Rds(on))能力使得用户能够在较低的功率损耗下进行高电流驱动,适合用于电源管理系统、高效开关电源和电动汽车应用等领域。
SIS413DN-T1-GE3适用于各种电子应用,包括但不限于:
SIS413DN-T1-GE3是VISHAY提供的一款可靠的P沟道功率MOSFET,结合了高性能的电气特性和宽广的工作条件,非常适合在现代电子设计中广泛应用。其卓越的散热能力和低功耗特性,使其在电动汽车、工业自动化、消费电子等领域中都具有极大的使用潜力。选择SIS413DN-T1-GE3不仅能提升产品可靠性,还有助于改善系统整体性能,是开发高效电力系统的理想解决方案。