SIS413DN-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SIS413DN-T1-GE3

商品编码: BM0000288301
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® 1212-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.176g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.7W;52W 30V 18A 1个P沟道 PowerPAK1212-8
库存 :
3329(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.73
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.73
--
3000+
¥1.64
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SIS413DN-T1-GE3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)14.7A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9.4mΩ@10V,15A
功率(Pd)3.7W阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)35.4nC@15V输入电容(Ciss@Vds)4.28nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)73pF@15V工作温度-55℃~+150℃

SIS413DN-T1-GE3手册

SIS413DN-T1-GE3概述

产品概述:SIS413DN-T1-GE3

概述

SIS413DN-T1-GE3是一款高性能的P沟道功率MOSFET,型号由知名电子元器件制造商VISHAY(威世)提供,专为要求高效能和高可靠性的电子设备设计。该产品以其优越的电气特性和广泛的工作温度范围而备受青睐,适用于各种功率开关和线性应用场合。

主要规格

  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 18A(在25°C时)
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 2.5V @ 250µA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 9.4mΩ @ 15A, 10V
  • 最大功率耗散(功耗): 52W(在Tc下),3.7W(在Ta下)
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • 封装类型: PowerPAK® 1212-8
  • 驱动电压: 4.5V和10V
  • 栅极电荷(Qg): 110nC @ 10V
  • 输入电容(Ciss): 4280pF @ 15V
  • Vgs最大值: ±20V

设计特点

SIS413DN-T1-GE3的设计中考虑了许多关键因素,以确保其在高负载条件下的稳定性与效率。产品采用PowerPAK® 1212-8封装,显著降低了电路设计的占板面积,同时为散热提供了更佳的性能。这种封装还使得器件更易于表面贴装,提高了生产效率和可靠性。

在电气特性方面,该MOSFET提供的低漏源导通电阻(Rds(on))能力使得用户能够在较低的功率损耗下进行高电流驱动,适合用于电源管理系统、高效开关电源和电动汽车应用等领域。

应用领域

SIS413DN-T1-GE3适用于各种电子应用,包括但不限于:

  • DC-DC变换器:作为开关元件,维持工作效率与电源稳定性。
  • 电源管理:在宽范围电压输入环境中,提供可靠的能量分配。
  • 电动机控制:驱动直流电动机,加速反馈确保动态性能。
  • 消费电子:提高便携式设备和家用电器的能效。
  • 工业自动化:在各种控制和监测系统中保证高效能和稳定性。

性能优势

  1. 高电流承受能力:18A的连续漏极电流能力,使得SIS413DN-T1-GE3在严苛的应用场景下也能保持稳定运行。
  2. 低导通电阻:电流流过时的低Rds(on)值极大地减少了热量产生,提高了能效。
  3. 宽工作温度范围:其能够在-55°C至150°C的范围内稳定工作,使其能够在极端环境中应用。
  4. 可靠的阈值电压:在设计中具备的2.5V的栅源极阈值电压,使得其能与更低电压的控制信号兼容。
  5. 易于集成与应用:表面贴装的特性方便了在现代电子设备中的集成,有利于节省空间。

总结

SIS413DN-T1-GE3是VISHAY提供的一款可靠的P沟道功率MOSFET,结合了高性能的电气特性和宽广的工作条件,非常适合在现代电子设计中广泛应用。其卓越的散热能力和低功耗特性,使其在电动汽车、工业自动化、消费电子等领域中都具有极大的使用潜力。选择SIS413DN-T1-GE3不仅能提升产品可靠性,还有助于改善系统整体性能,是开发高效电力系统的理想解决方案。