SISA18ADN-T1-GE3

产品概述：SISA18ADN-T1-GE3

基本信息

SISA18ADN-T1-GE3 是一款由威世(VISHAY)公司生产的 N 沟道 MOSFET(场效应管)。该产品专为高效能和高功率应用设计，具有出色的性能指标和可靠性，适用于电源管理、开关电源及驱动电路等多种电子应用。SISA18ADN-T1-GE3 在表面贴装类型的封装中实现了高集成度，适合于紧凑型设计的电路。

主要规格

• 漏源电压 (Vdss): 30V
  该 MOSFET 的漏源电压值为 30V，适合用于低至中等电压的功率管理应用。

• 连续漏极电流 (Id): 38.3A (Tc = 25°C)
  在 25°C 的环境温度下，可以承受高达 38.3A 的连续漏极电流，这表明该器件在需要高电流的应用中表现出色。

• 导通电阻 (RDS(on)): 7.5 mΩ @ 10A, 10V
  低导通电阻 (7.5毫欧) 确保了在高电流情况下的低功耗损耗，提高了整体能效。

• 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 2.4V @ 250µA
  该器件的栅源极阈值电压低至 2.4V，使它能够在较低的驱动电压下开启，从而减少驱动电路的复杂性和功耗。

• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  宽广的工作温度范围使该设备适用于严酷环境条件下的应用，增强了其可靠性。

• 输入电容 (Ciss): 1000pF @ 15V
  低输入电容值提高了开关速度，有助于实现更快的开关操作，降低开关损耗。

• 最大功率耗散: 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
  器件可以在不同的条件下有效处理功率，提供灵活的设计选项。

封装与应用

SISA18ADN-T1-GE3采用 PowerPAK® 1212-8 封装，此封装设计旨在高效散热和简化布板操作，使其易于在现代表面贴装应用中集成。由于其特性，该 MOSFET 广泛应用于电源转换、功率放大、马达驱动、电池管理和其他需要功率开关的场景中。

驱动与控制

本器件的驱动电压具有灵活性，支持4.5V至10V的驱动电压，使其能够与各类控制芯片及电路兼容。其栅极电荷 (Qg) 最大值为 21.5nC，表明其响应速度快，适合高频应用。

总结

SISA18ADN-T1-GE3 是一款功能强大、适应性强且经验证的 N 沟道 MOSFET，其优越的导通电阻、较高的漏极电流和宽工作温度范围，使其成为能效优化电路设计的理想选择。威世作为电子元器件领域的领先制造商，凭借其优质的产品和良好的客户服务，进一步加强了 SISA18ADN-T1-GE3 在市场中的竞争力。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，该产品都能够满足客户对于高效能和高可靠性的需求。