STB6NK60ZT4 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STB6NK60ZT4

商品编码: BM0000288396
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
D2PAK
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 110W 600V 6A 1个N沟道 D2PAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.89
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.89
--
1000+
¥2.76
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

STB6NK60ZT4参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)6A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.2Ω@3A,10V
功率(Pd)110W阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)46nC@10V输入电容(Ciss@Vds)905pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

STB6NK60ZT4手册

STB6NK60ZT4概述

STB6NK60ZT4 产品概述

一、基本信息

STB6NK60ZT4是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能N沟道MOSFET,封装类型为D2PAK,符合TO-263-3标准。这款器件适用于各种高电压和中等功率应用场景,具备优越的导电性能和散热特性,适合表面贴装(SMT)设计。

二、主要特性

  1. 漏源极电压(Vdss): 最高可达600V,适合多种高压应用。
  2. 连续漏极电流(Id): 在25°C时可承受6A(Tc),提供足够的驱动能力。
  3. 栅源电压(Vgss): 最大栅源电压为±30V,确保其在不同工作条件下的稳定性。
  4. 导通电阻(Rds On): 在10V栅驱动电压下,最大导通电阻为1.2Ω(@ 3A),这使得其在通态损耗方面表现优异。
  5. 门极总电荷(Qg): 最大为46nC(@ 10V),保证了快速开关性能,利于提高开关频率并降低开关损耗。
  6. 功率耗散能力: 最大功率耗散可达110W(Tc),为高功率应用提供强有力的支持。
  7. 工作温度范围: -55°C到150°C的工作温度范围使其能够在恶劣环境中稳定运行。

三、应用领域

STB6NK60ZT4广泛应用于:

  • 开关电源:由于其高电压和高功率特性,非常适用于AC-DC和DC-DC转换器。
  • 电机驱动:在工业和消费电子电机控制中的应用,尤其是在需要高效开关的场合。
  • 逆变器:可以用于太阳能逆变器等高压直流电源转换场景。
  • 照明控制:适合用于LED驱动等高效照明解决方案。
  • 消费电子:用于各种家电和电子设备中,提供稳定的电源管理。

四、优点

  • 卓越的热性能:D2PAK封装提供良好的散热路径,适合高功率和高热负荷的应用。
  • 高效开关能力:低导通电阻和快速响应时间,使其在开关频率高的应用中表现出色,减少开关损耗。
  • 设计灵活性:能够与其他类型的元器件配合使用,提供设计上的灵活性和高集成度。

五、总结

STB6NK60ZT4是一款高效能、高可靠性的N沟道MOSFET,凭借其600V的高电压和6A的电流承载能力,是现代电源管理解决方案中不可或缺的组件。无论是在工业、消费电子还是可再生能源领域,该产品都展现了优良的性能和广泛的应用潜力。该器件不仅能满足当今电源设计的高要求,还确保了能效的提升,助力实现智能化和绿色化的电源管理解决方案。