类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@3A,10V |
功率(Pd) | 110W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 46nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 905pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
STB6NK60ZT4是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能N沟道MOSFET,封装类型为D2PAK,符合TO-263-3标准。这款器件适用于各种高电压和中等功率应用场景,具备优越的导电性能和散热特性,适合表面贴装(SMT)设计。
STB6NK60ZT4广泛应用于:
STB6NK60ZT4是一款高效能、高可靠性的N沟道MOSFET,凭借其600V的高电压和6A的电流承载能力,是现代电源管理解决方案中不可或缺的组件。无论是在工业、消费电子还是可再生能源领域,该产品都展现了优良的性能和广泛的应用潜力。该器件不仅能满足当今电源设计的高要求,还确保了能效的提升,助力实现智能化和绿色化的电源管理解决方案。