类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 900V |
连续漏极电流(Id) | 5.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.56Ω@10V,2.9A |
功率(Pd) | 140W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 60.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.35nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 26pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STB6NK90ZT4是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高电压N沟道MOSFET,采用表面贴装类型(SMT),其封装结构为D2PAK(TO-263-3,D²Pak,2引线+接片),适用于需要高效能与紧凑设计的电子应用。该器件具备优良的电气性能,尤其在高压、高功率的应用场景中表现出色。
漏源极电压(Vds):该MOSFET的漏源极电压高达900V,适合用于高压电源、开关电源及其他需要大电压处理的电路。
连续漏极电流(Id):在25°C下,STB6NK90ZT4可承受5.8A的连续漏极电流,提供良好的载流能力,并适合大多数工业和消费电子产品的需求。
导通电阻(Rds(on)):当Vgs为10V时,该产品的导通电阻最大值为2欧姆(在较小的漏电流2.9A时),这意味着该器件在工作时的功率损耗较小,从而提高了整体效率和可靠性。
栅极阈值电压(Vgs(th)):最大阈值电压为4.5V @ 100µA,在设计中能够有效地控制MOSFET的开关行为,使其更易于与不同的控制电路集成。
栅极电荷(Qg):在10V驱动电压下,栅极电荷最大值为60.5nC,低栅极电荷值有助于提高开关频率,减小控制电路的功耗。
输入电容(Ciss):在25V下,该器件的输入电容最大值为1350pF,较低的输入电容可提高其在高频应用中的性能。
工作温度范围:支持从-55°C至150°C的广泛工作温度,确保在严苛环境中也能稳定工作,提高了产品的适用性。
功率耗散(Pd):在温度控制的条件下,该MOSFET能承受最大功率耗散达140W,适合高功率应用。
由于其卓越的电气特性,STB6NK90ZT4广泛应用于以下领域:
STB6NK90ZT4是一款性能卓越的N沟道MOSFET,具备高压、大电流和宽温度范围的特性,适用于多种高功率和高电压的应用场合。意法半导体凭借其强大的设计和制造能力,确保了该系列产品在市场中具备优异的竞争力。无论是在工业、消费电子还是电源管理上,该MOSFET都能提供高效和可靠的解决方案,是设计工程师在选择高压开关元件时的重要选择。