STD10P6F6
STD10P6F6参数
| 类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 160mΩ@10V,5A |
| 功率(Pd) | 35W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.4nC@30V | 输入电容(Ciss@Vds) | 340pF@48V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 20pF@48V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
STD10P6F6手册
STD10P6F6概述
STD10P6F6 产品概述
产品简介
STD10P6F6 是一种高性能的 P 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由意法半导体（STMicroelectronics）生产。该器件采用 DPAK 表面贴装封装，具有良好的散热性能和小型化优势，非常适合各种电源管理和开关应用的需求。它的主要特点包括漏源电压为 60V、连续漏极电流为 10A 和功率耗散能力高达 35W（在特定条件下的冷态情况下）。
主要技术参数
漏源电压 (Vdss): STD10P6F6 的最大漏源电压为 60V，使其能够有效应对多种电压等级的电源应用。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下，连续漏极电流可达到 10A，保证了其在高负载情况下的可靠性。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该器件的栅源阈值电压为 4V @ 250µA，适合低电压驱动。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 5A 和 10V 下，最大导通电阻为 160mΩ，确保低的功耗和高的效率。
最大功率耗散: 在 25°C 时，该 MOSFET 能够支持最高 35W 功率耗散，适合严苛的工作环境。
工作温度范围: 工作温度范围高达 175°C（TJ），提供了良好的温度稳定性。
栅极电荷 (Qg): 在 10V 驱动下的栅极电荷为 6.4nC，有助于降低开关损耗。
输入电容 (Ciss): 在 48V 时，输入电容为 340pF，提供了良好的高频性能。
应用领域
STD10P6F6 适合于多种应用场景，尤其是在需要使用 P 通道 MOSFET 的系统中，包括：
DC-DC 转换器: 由于其高效率和低导通电阻，该 MOSFET 可用于提供稳定的电压输出。
电源开关: 适用于开关电源中，用于高效控制电流的流动。
负载开关: 可用于控制负载的开启和关闭，适合电池供电设备和便携式电子产品。
马达控制: 可以在马达驱动电路中被用作开关元件，控制电机的启停和运行。
能量管理系统: 通过控制电源的连接和断开，在能量回收和管理系统中发挥关键作用。
可靠性与可用性
STD10P6F6 作为意法半导体的产品，采用了先进的制造工艺，确保了其在各种恶劣环境下的可靠性。该 MOSFET 的封装形式为 DPAK，便于在自动化设备和自动贴片机上进行批量生产，满足现代制造的需求。
结论
总体而言，STD10P6F6 是一款高效率、低功耗的 P 通道 MOSFET，凭借其出色的电气性能和广泛的应用范围，成为电子产品设计师和工程师们的理想选择。无论是在电源管理、开关控制，还是马达控制等领域，该器件都彰显其优越性，是现代电子设计中不可或缺的基础元件。