类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 28A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V,15A |
功率(Pd) | 70W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 58nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.75nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 70pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
STD30NF06T4 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N-通道 MOSFET,适合于各类电源管理、电机驱动及开关电路等应用。凭借其出色的电流承载能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围,STD30NF06T4 在电子设计中提供了高度的可靠性和灵活性。
STD30NF06T4 理想用于许多不同的应用,包括但不限于:
STD30NF06T4 的设计充分考虑了现代电子产品在功率效率、耐用性和环境适应性方面的需求。其低 Rds(on) 和高 Id 提供了高效率的特性,有效降低了能耗和热量生成。此外,广泛的工作温度范围使得该产品适用于各种恶劣环境,确保设备长期稳定运行。
作为一款高性能的 N-通道 MOSFET,STD30NF06T4 在多个领域展现了其优异的电气特性和广泛的应用潜力。从工业设备到汽车电子,这款 MOSFET 提供了工程师所需的灵活性和效率,是现代电源管理设计中的理想选择。对于需要高效率、高可靠性的电子系统,STD30NF06T4 是一个不容错过的选择。