STD30NF06T4 产品实物图片
STD30NF06T4 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STD30NF06T4

商品编码: BM0000288401
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
DPAK
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
表面贴装型-N-通道-60V-28A(Tc)-70W(Tc)-DPAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.72
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.72
--
2500+
¥1.64
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

STD30NF06T4参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)28A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)20mΩ@10V,15A
功率(Pd)70W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)58nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.75nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)70pF@25V工作温度-55℃~+175℃

STD30NF06T4手册

STD30NF06T4概述

产品概述:STD30NF06T4 N-通道 MOSFET

1. 概述

STD30NF06T4 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N-通道 MOSFET,适合于各类电源管理、电机驱动及开关电路等应用。凭借其出色的电流承载能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围,STD30NF06T4 在电子设计中提供了高度的可靠性和灵活性。

2. 关键参数

  • 封装与类型:STD30NF06T4 采用 DPAK(TO-252-3)封装,这种表面贴装(SMT)型的设计使其在PCB上占用空间小,易于自动化生产与焊接。
  • 漏源极电压 (Vdss):最大可承受 60V,适合多种高压应用场景。
  • 连续漏极电流 (Id):在 25°C 时可承载高达 28A 的持续电流,这使得它能够满足高负载要求的应用。
  • 功率耗散:在特定条件下,能承受高达 70W 的功率,适合需要高功率处理的电路。
  • 导通电阻 (Rds(on)):在 10V 栅源电压下,导通电阻最大值为 28毫欧,在 15A 电流下表现优异,提供较小的功率损耗和更高的效率。
  • 栅极阈值 voltage (Vgs(th)):最大值为 4V,确保其在适当电压下能迅速导通。
  • 工作温度范围:广泛的工作温度范围为 -55°C 到 175°C,适应各类苛刻的环境条件。

3. 应用场景

STD30NF06T4 理想用于许多不同的应用,包括但不限于:

  • 开关电源:其低导通电阻和出色的功率处理能力适合用作开关电源中的主开关器件。
  • 电源管理:用于高效的 DC-DC 转换器,确保最小的能量损耗和客户设备的高效运作。
  • 电机驱动:可在建筑自动化和工业设备中用于驱动小型至中型电机,能够处理高电流输出。
  • 汽车应用:扩展的工作温度范围使此器件适合汽车电子产品,满足汽车行业的严苛标准。

4. 性能优势

STD30NF06T4 的设计充分考虑了现代电子产品在功率效率、耐用性和环境适应性方面的需求。其低 Rds(on) 和高 Id 提供了高效率的特性,有效降低了能耗和热量生成。此外,广泛的工作温度范围使得该产品适用于各种恶劣环境,确保设备长期稳定运行。

5. 结论

作为一款高性能的 N-通道 MOSFET,STD30NF06T4 在多个领域展现了其优异的电气特性和广泛的应用潜力。从工业设备到汽车电子,这款 MOSFET 提供了工程师所需的灵活性和效率,是现代电源管理设计中的理想选择。对于需要高效率、高可靠性的电子系统,STD30NF06T4 是一个不容错过的选择。